浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及氧化镓紫外探测器领域，特别涉及一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用。

技术介绍

1、按照电磁波波长可以将紫外辐射分为三个波段： 320-400 nm波段的紫外线成为uva区域，280-320 nm波段的紫外线成为uvb区域，100-280nm波段的紫外线成为uvc区域。由于表面臭氧层的存在，太阳辐射中低于280 nm的紫外线很难到达地球表面，因此人们一般将200-280 nm波段的紫外线区域称为日盲紫外区。由于大气层内几乎不存在紫外线，这就导致日盲紫外区的紫外辐射的背底噪音十分微弱，辐射源的信号可以很精确地被探测，因此，日盲紫外探测器在火焰传感、近距离紫外通信、生物/化学分析测试、导弹预警系统等领域有着较为广泛的应用。

2、传统技术中主要利用光电倍增管、热探测器和以si为代表的窄带系半导体光电二极管等器件来探测紫外线，但这些器件各有其优缺点：光电二极管灵敏度较高，但其缺点是体积较大、比较笨重、工作电压大、能耗较大；热探测器主要缺点是响应速度特别慢；硅基的紫外探测器通常需要价格高昂的滤光片来阻挡可见－红外区域的入射光，器件的有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种浮空结构氧化镓紫外探测器，其特征在于，包括：衬底层（10）、Ga2O3薄膜（20）以及金属电极（30），其中衬底层（10）靠近Ga2O3薄膜（20）的表面部分凹陷形成一个凹槽（11），Ga2O3薄膜（20）搭设在凹槽（11）上方覆盖凹槽（11）以形成浮空结构，金属电极（30）通过沉积和图案化过程形成于衬底层（10）上并通过退火处理与Ga2O3薄膜（20）形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的浮空结构氧化镓紫外探测器，其特征在于，衬底层（10）上形成的凹槽（11）为长度占Ga2O3薄膜（20）的长度的60%-80%、宽度远大于Ga2O3薄膜（20）的宽度，深度大于50...

【技术特征摘要】

1.一种浮空结构氧化镓紫外探测器，其特征在于，包括：衬底层（10）、ga2o3薄膜（20）以及金属电极（30），其中衬底层（10）靠近ga2o3薄膜（20）的表面部分凹陷形成一个凹槽（11），ga2o3薄膜（20）搭设在凹槽（11）上方覆盖凹槽（11）以形成浮空结构，金属电极（30）通过沉积和图案化过程形成于衬底层（10）上并通过退火处理与ga2o3薄膜（20）形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的浮空结构氧化镓紫外探测器，其特征在于，衬底层（10）上形成的凹槽（11）为长度占ga2o3薄膜（20）的长度的60%-80%、宽度远大于ga2o3薄膜（20）的宽度，深度大于50 nm的沟槽。

3.根据权利要求1所述的浮空结构氧化镓紫外探测器，其特征在于，ga2o3薄膜（20）完全悬空于凹槽（11）设置形成浮空结构。

4.根据权利要求1所述的浮空结构氧化镓紫外探测器，其特征在于，金属电极选择为叠层金属。

5.一种浮空结构氧化镓紫外探测器的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓茜，吴志帆，黄舒琪，方慈浙，韩根全，
申请(专利权)人：西安电子科技大学杭州研究院，
类型：发明
国别省市：