【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及放大器,具体涉及一种带关断功能的低噪声放大器芯片。
技术介绍
1、低噪声放大器芯片是组成射频接收机的重要半导体器件,位于整个系统接收链路的最前端,与射频接收天线相连,起到小信号放大的作用,它的噪声系数、小信号增益、直流功耗等性能的好坏将影响整个后级系统的信号处理;同时,低噪声放大器在机载、弹载、雷达、基站等军用和民用设备中应用范围广泛且应用方式灵活多样,这就对低噪声放大器芯片的设计提出了更高的要求。
2、低噪声放大器芯片的重要设计指标包括小信号增益、噪声系数、直流功耗等。其中,噪声系数的高低将直接影响整个接收机系统的灵敏度,功耗的高低也将影响整个收发链路系统的功耗,同时,低噪声放大器芯片应用方式的多样性也将影响整个系统应用的简单性和灵活性。因此,如何在降低放大器功耗的同时减小噪声系数成为急需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题,本专利技术提供了一种带关断功能的低噪声放大器芯片,用于解决现有技术中放大器很难在降低放大器功耗的同时还能减小噪声系数的技术问
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【技术保护点】
1.一种带关断功能的低噪声放大器芯片,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的带关断功能的低噪声放大器芯片,其特征在于,所述两级放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一电阻、第二电阻以及第三电阻,所述第一电容的第一端与所述射频信号输入端连接,并获取待处理的所述射频信号,所述第一电容的第二端分别与所述第一电阻的第一端以及所述第一晶体管的受控端连接;所述第一晶体管的第一端接地,所述第一晶体管的第二端分别与所述第四电容的第一端、所述第五电容的第一端、所述第六电容的第一端以及所述第二电感的第一端连接;所
...【技术特征摘要】
1.一种带关断功能的低噪声放大器芯片,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的带关断功能的低噪声放大器芯片,其特征在于,所述两级放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一电阻、第二电阻以及第三电阻,所述第一电容的第一端与所述射频信号输入端连接,并获取待处理的所述射频信号,所述第一电容的第二端分别与所述第一电阻的第一端以及所述第一晶体管的受控端连接;所述第一晶体管的第一端接地,所述第一晶体管的第二端分别与所述第四电容的第一端、所述第五电容的第一端、所述第六电容的第一端以及所述第二电感的第一端连接;所述第一电阻的第二端与所述第五电容的第二端连接,其连接节点连接至所述偏置电路;所述第四电容的第二端分别与所述第三电容的第一端、所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端以及所述第二晶体管的受控端连接,并用于接入所述工作状态信号;所述第二晶体管的第一端与所述第二电感的第二端连接,所述第二晶体管的第二端分别与所述第二电阻的第二端、所述第一电感的第一端以及所述第二电容的第一端连接;所述第一电感的第二端接入所述工作电源;所述第二电容的第二端输出低噪声放大处理后的所述射频信号;所述第六电容的第二端、所述第三电阻的第二端以及所述第三电容的第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈仲谋,杜琳,徐建辉,许敏,吴奕蓬,张博,
申请(专利权)人:博瑞集信西安电子科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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