【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子材料制备领域,具体涉及一种精确摩尔配比的高熵薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、锰基二元(如nimn2o4)、三元(如 mn1.56co0.96ni0.48o4)、四元(如mn1.5zn0.6fe1.9ni2o4)和五元(如 mn(1.9-x)zn0.2ni0.6mgxal0.3o4)尖晶石型中/高熵热敏薄膜材料是以 mn3o4 为原型材料,通过掺入多种+2 或 +3 价的金属阳离子而得到。其中,2元~4元热敏材料称为中熵热敏材料,5元及以上热敏材料称为高熵热敏薄膜材料。其不仅具有可调控的优异热敏性能,较低的介电损耗和漏电流特性,还具有宽温区红外光学特性、光电催化、磁学性能、老化性能等多种独特的物理化学性能。因而,该类型材料广泛应用于磁性材料、温度监测、生物和医学、军事航天、传感器、半导体光电探测、以及催化剂和催化剂载体等诸多领域。
2、高熵热敏材料是由高熵合金( heas )推广得来的。高熵合金是一种多主元合金(mpeas ),各元素的摩尔比相等或接近相同。高熵合金与传统合金的区别不仅在于性能,而且在于设计
...【技术保护点】
1.一种精确摩尔配比的高熵薄膜,其特征在于:所述高熵薄膜的化学组成为Mn(1.9-x)Zn0.2Ni0.6MgxAl0.3O4,其中X=0.1或0.2或0.3或0.4。
2.根据权利要求 1 所述的一种精确摩尔配比的高熵薄膜,其特征在于:高纯金属锰、锌、镍、镁和铝颗粒的纯度均为 99.99%以上。
3.根据权利要求 1 所述的一种精确摩尔配比的高熵薄膜的制备方法,其特征在于:
4.根据权利要求 1 所述的一种精确摩尔配比的高熵薄膜制备方法,其特征在于:步骤3)中电子束蒸发法的具体步骤为:
5.根据权利要求 1 所述的一种
...【技术特征摘要】
1.一种精确摩尔配比的高熵薄膜,其特征在于:所述高熵薄膜的化学组成为mn(1.9-x)zn0.2ni0.6mgxal0.3o4,其中x=0.1或0.2或0.3或0.4。
2.根据权利要求 1 所述的一种精确摩尔配比的高熵薄膜,其特征在于:高纯金属锰、锌、镍、镁和铝颗粒的纯度均为 99.99%以上。
3.根据权利要求 1 所述的一种精确摩尔配比的高熵薄膜的制备方法,其特征在于:
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:任卫,韩雨欣,周倩,张亚明,李仃,顾生越,
申请(专利权)人:西安邮电大学,
类型:发明
国别省市:
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