量子点、制造量子点的方法、发光器件和设备技术

提供了具有窄的半最大值全宽的量子点、制造量子点的方法、发光器件和设备。量子点包括包含第I‑III‑VI族化合物的核和覆盖核的壳，壳包括第II‑VI族化合物或第III‑VI族化合物，并且关于核和壳，核中的第III族元素与壳中的第III族元素的摩尔比为0.2至0.6。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施方案的一个或多个方面涉及量子点、其制造方法和包括量子点的发光器件、光学构件和设备。

技术介绍

1、量子点是半导体材料的纳米晶体，并且表现出量子限制效应。当量子点通过接收来自激发源的光而达到能量激发态时，它们自己根据相应的能带隙发射能量。在这一点上，即使在基本相同的材料中，波长也根据粒度而变化，因此，通过调节量子点的尺寸，可以获得具有期望或合适波长范围的光，并且可以获得优异或合适的色纯度和高发光效率。因此，量子点可应用于一个或多个合适的器件。

2、在一些实施方案中，量子点可以用作在光学构件中进行一个或多个合适的光学功能(例如，光转换功能)的材料。量子点，作为纳米尺寸的半导体纳米晶体，可以通过调节纳米晶体的尺寸和组成而具有不同的能带隙，因此可以发射一个或多个合适发射波长的光。

3、光学构件(包括这样的量子点)可以具有薄膜的形式，例如，针对每个子像素图案化的薄膜。这种光学构件可以用作包括一个或多个合适光源的器件的颜色转换构件。

4、与保持晶体结构均匀性相关的困难可能会由于表面缺陷而导致能级扭曲，并且可能由于施主-本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种量子点，包括：

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第I-III-VI族化合物由式1表示：

3.根据权利要求2所述的量子点，其中，a、b和c之和是2。

4.根据权利要求2所述的量子点，其中，M1是铜。

5.根据权利要求2所述的量子点，其中，M2是镓，并且M3是铟。

6.根据权利要求2所述的量子点，其中，M4是氧或硫。

7.根据权利要求2所述的量子点，其中，b/c是0.05至20。

8.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第II-VI族化合物包括选自以下之中的至少一种：CdS、CdSe、Cd...

【技术特征摘要】

1.一种量子点，包括：

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第i-iii-vi族化合物由式1表示：

3.根据权利要求2所述的量子点，其中，a、b和c之和是2。

4.根据权利要求2所述的量子点，其中，m1是铜。

5.根据权利要求2所述的量子点，其中，m2是镓，并且m3是铟。

6.根据权利要求2所述的量子点，其中，m4是氧或硫。

7.根据权利要求2所述的量子点，其中，b/c是0.05至20。

8.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第ii-vi族化合物包括选自以下之中的至少一种：cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse和hgte。

9.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第iii-vi族化合物包括选自以下之中的至少一种：in2s3、in2se3、ga2s3、ga2se3、ingas3和ingase3。

10.根据权利要求1所述的量子点，其中，关于所述核中的第i族元素和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹彼娜，金成在，金泳植，朴昇元，李栋熙，郑濬赫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：