一种适用于多类型延迟线结构的ONFI PHY训练方法技术

本发明专利技术公开了一种适用于多类型延迟线结构的ONFI PHY训练方法。本流程首先通过粗扫描确定可采样值的范围，利用长delayline固定步进获取粗采样窗口作为后续参考。随后，通过训练找到长delayline的最小值并对齐dq。过程中，使用短delayline调整dq skew，直至dq对齐或短delayline调节能力用尽。接着，将粗扫窗口中心值与最小值的平均值作为初始点，训练长delayline的最大值。最后，取最小值和最大值的平均值作为最终配置值，完成整个训练流程。通过本发明专利技术，能够同时执行寻找采样窗口和对齐dq的动作，增大数据窗口，提升训练的效果与效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器数据读写领域，更具体的，涉及一种适用于多类型延迟线结构的onfi phy训练方法。

技术介绍

1、对于遵循onfi协议的存储器件，访问flash的设备在执行读写操作时，dq(数据)和dqs(数据选取脉冲)需要满足采样的setup、hold时序，phy内部会使用一种延时调节电路(delayline)来实现调节读写两个方向不同dq bit和dqs相位关系，从而满足数据采样时序需求。

2、受工作频点、温度、电压、实现工艺、io质量和delayline设计等因素的影响，不同条件下phy_dq和phy_dqs通过数据通路到达数据采样电路flash的时间存在差异和变化，无法提供一个满足所有场景的delayline预设值。因此，实际上需要通过训练(training)调节delayline配置与调整dq dqs相位，确保写方向flash和读方向phy可以正确的采样数据。

3、由于工作速率提升、io质量、芯片工艺、封装设计与制造、以及芯片运行过程中的温度电压变化等因素，对时序的影响变得愈专利技术显。并且onfi协议dq是并口出数据本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于多类型延迟线结构的ONFI PHY训练方法，其特征在于，包括：

2.一种适用于多类型延迟线结构的ONFI PHY训练系统，其特征在于，该系统包括：存储器、处理器，所述存储器中包括适用于多类型延迟线结构的ONFI PHY训练程序，所述适用于多类型延迟线结构的ONFI PHY训练程序被所述处理器执行时实现如下步骤：

3.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中包括适用于多类型延迟线结构的ONFI PHY训练程序，所述适用于多类型延迟线结构的ONFI PHY训练程序被处理器执行时，实现如权利要求1中所述的适用于多类型延迟线结构的ONFI...

【技术特征摘要】

1.一种适用于多类型延迟线结构的onfi phy训练方法，其特征在于，包括：

2.一种适用于多类型延迟线结构的onfi phy训练系统，其特征在于，该系统包括：存储器、处理器，所述存储器中包括适用于多类型延迟线结构的onfi phy训练程序，所述适用于多类型延迟线结构的onfi phy训练程序被所...

【专利技术属性】
技术研发人员：程庆凯，刘德启，邹诗赞，冒李宸，
申请(专利权)人：博越微电子江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：