一种四噻吩吡咯基界面材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于钙钛矿太阳能电池技术领域，具体公开了一种四噻吩吡咯基界面材料及其制备方法和应用，本发明专利技术以四噻吩吡咯为中心核，茚并咔唑为电子给体，设计合成了小分子CQ37，将本发明专利技术的小分子CQ37用作钙钛矿和NiO<subgt;x</subgt;层的界面修饰材料，CQ37分子中的S原子有钝化钙钛矿和NiO<subgt;x</subgt;层缺陷的作用，器件的FF有显著提升且迟滞效应明显改善，CQ37的修饰提高了器件的性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于钙钛矿太阳能电池，涉及倒置结构钙钛矿太阳能电池界面材料的研发，具体涉及一种四噻吩吡咯基界面材料及其制备方法和应用

技术介绍

1、空穴传输材料(htm)是钙钛矿太阳能电池(pscs)的重要组成部分，主要起到将空穴从钙钛矿活性层传输到金属对电极中，并阻止电子向金属对电极传输的作用，从而实现有效的电子-空穴对解离。此外，空穴传输层极大地影响着钙钛矿薄膜的形貌，可起到优化钙钛矿与阳极之间的能级排列对钙钛矿太阳能电池的性能有积极的影响。其中，ptaa或pedot:pss有机聚合物材料由于出色的性能，成为倒置pscs中最为常用的htm。但聚合物型htm多存在以下缺陷影响其产业化应用，例如：批次不稳定，合成复杂，价格昂贵，空穴迁移率低，需要掺杂添加剂，酸性及吸湿性高熬制器件稳定性低。相比之下，niox无机htms具有成本低、稳定性高、载流子迁移率高、对钙钛矿层无破坏性等优势，具有应用潜力巨大。niox作为p半导体本征导电率高，禁带宽度大、价带边缘深因而成为了运用最为广泛的无机htm。但是，niox仍存在不足之处，例如，电导率低、能级不易调控、薄膜表面缺陷严本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种四噻吩吡咯基界面材料，其特征在于，分子结构式如下所示：

2.如权利要求1所述的一种四噻吩吡咯基界面材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种四噻吩吡咯基界面材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)的具体过程为：将化合物1、三丁基(2-噻吩基)锡、Pd(PPh3)4混合溶于甲苯中，氮气氛围下加热回流反应，得到中间体化合物2；其中，化合物1、三丁基(2-噻吩基)锡以及Pd(PPh3)4的摩尔比为1：1.0～1.3：0.02～0.1。

4.根据权利要求2所述的一种四噻吩吡咯基界面材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)的具体...

【技术特征摘要】

1.一种四噻吩吡咯基界面材料，其特征在于，分子结构式如下所示：

2.如权利要求1所述的一种四噻吩吡咯基界面材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种四噻吩吡咯基界面材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)的具体过程为：将化合物1、三丁基(2-噻吩基)锡、pd(pph3)4混合溶于甲苯中，氮气氛围下加热回流反应，得到中间体化合物2；其中，化合物1、三丁基(2-噻吩基)锡以及pd(pph3)4的摩尔比为1：1.0～1.3：0.02～0.1。

4.根据权利要求2所述的一种四噻吩吡咯基界面材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)的具体过程为：...

【专利技术属性】
技术研发人员：马朝龙，王哲，刘研，徐杨阳，钱伟，刘琪伟，王志辉，茆平，汪玉祥，
申请(专利权)人：淮阴工学院，
类型：发明
国别省市：