【技术实现步骤摘要】
本技术涉及基板处理装置以及基板处理方法，特别涉及用于将半导体晶片等基板研磨为平坦的基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
1、近年来，随着半导体器件的高集成化推进，电路的配线越来越微细化，配线间距离也变得越来越更窄。在半导体器件的制造中，在硅晶片上多种类的材料反复形成为膜状，形成层叠构造。为了形成该层叠构造，使晶片的表面平坦的技术变得重要。作为这样将晶片的表面平坦化的单元之一，广泛使用进行化学机械研磨(cmp)的研磨装置(也称为化学机械研磨装置)。
2、一般地，该化学机械研磨(cmp)装置具备：安装有研磨垫的研磨台、保持晶片的顶圈、以及将研磨液供给到研磨垫上的喷嘴。一边从喷嘴将研磨液供给到研磨垫上，一边通过顶圈将晶片向研磨垫按压，进一步使顶圈与研磨台相对移动，由此研磨晶片而使晶片的表面平坦。
3、基板处理装置是在这样的cmp装置的基础上，具有清洗研磨后的晶片并进一步使晶片干燥的功能的装置。在这样的基板处理装置中，在cmp研磨时从晶片的背面侧经由设置于顶圈的膜片进行压力施加，但此时，产生如下的现象：研磨液(浆料)...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.一种基板处理方法，其特征在于，包含如下的步骤：
...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.一种基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：梶田真二，平安名常仁，梶川敬之，上里昌充，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。