【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所提供的实施例总体上涉及用于确定可在带电粒子装置中的多个束波上操作的电子光学组件的对准的方法和计算机程序。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，在制造过程期间，不期望的图案缺陷经常出现在衬底(即晶片)或掩模上，从而降低了产量。此类缺陷可以由于例如光学效应和附带粒子以及后续加工步骤诸如蚀刻、沉积或化学机械抛光而出现。因此，监测不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般而言，衬底或其他物体/材料的表面的检查和/或测量(或一起评估)是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、具有带电粒子束的图案检查工具已被用于检查物体(例如检测图案缺陷)。这些工具典型地使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，以相对较高的能量对电子的初级电子束(或初级束)以最终减速步骤为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子束被聚焦为样品上的探测点(spot)。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用造成信号电子从表面发射，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。所生成的信号电子可以从样品的材...
【技术保护点】
1.一种确定电子光学组件的对准的方法，所述电子光学组件能够在带电粒子装置中的多个束波上操作，所述带电粒子装置包括：孔径阵列和检测器，所述检测器被配置为检测与穿过所述孔径阵列中的对应的孔径的所述束波相对应的带电粒子，所述检测器被定位在沿着所述束波的路径的相对于所述孔径阵列的下游，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述检测包括检测与在所述扫描期间在所述间隔穿过对应的所述孔径的每个束波相对应的任何带电粒子。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，还包括针对每个束波生成图像，所述图像表示与所述束波在所述孔径阵列的所述一部分之上的所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种确定电子光学组件的对准的方法，所述电子光学组件能够在带电粒子装置中的多个束波上操作，所述带电粒子装置包括：孔径阵列和检测器，所述检测器被配置为检测与穿过所述孔径阵列中的对应的孔径的所述束波相对应的带电粒子，所述检测器被定位在沿着所述束波的路径的相对于所述孔径阵列的下游，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述检测包括检测与在所述扫描期间在所述间隔穿过对应的所述孔径的每个束波相对应的任何带电粒子。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，还包括针对每个束波生成图像，所述图像表示与所述束波在所述孔径阵列的所述一部分之上的所述扫描相对应的所检测的信号粒子的所述强度，在所述孔径阵列的所述一部分中限定有所述孔径阵列的对应的孔径。
4.根据权利要求3所述的方法，包括基于针对所述多个束波的多个所述图像生成组合图像，所述组合图像表示所述多个束波在所述孔径阵列之上的所述扫描。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述组合图像包括针对所述多个束波的每个间隔的所收集的所述信息。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述组合图像中表示的所述图像的位置基于所述孔径阵列中的对应的所述孔径的物理位置而确定。
7.根据权利要求4、5或6所述的方法，其中所述组合图像中所表示的所述图像之间的距离基于所述孔径阵列中的对应的所述孔径的相对位置而确定。
8.根据权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·斯洛特，N·弗奇尔，V·S·凯伯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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