一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法，按质量份数计，所述石墨烯与纳米粒子导电膜包括以下制备原料：膏状氧化石墨烯30‑50份；分散剂3‑8份；还原剂1‑3份；石墨烯粉1‑5份；导电填料8‑15份；本发明专利技术通过石墨烯与纳米粒子导电膜解决了导电膜在使用中因热压而出现的降温后导电膜方阻不均匀的问题，以及用其制备电热膜时在热压成型后电热膜的发热温度不均匀的问题，和因为应力导致电热膜的发热功率和温度随着时间的推移逐渐衰减的问题；一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法，主要解决现有石墨/石墨烯导电膜材料电导率低、制备工艺复杂、生产成本较高的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯，具体为一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法。

技术介绍

1、随着微电子集成技术和高密度印制板组装技术的迅速发展，组装密度迅速提高，石墨烯具有超高比表面积、低密度、高稳定性和优良可加工性等特点，被视为制备理想的“高、薄、宽、轻、强”型导电材料之一。然而，将石墨烯直接用于电阻发热，由于其超高的电子迁移率(～10000cm2·v-1·s-1)导致高反射率(降低了阻抗匹配特性)，电阻较大性能并不理想；另外，由于π-π堆积的团聚作用，使得石墨烯本身分散性极差，这也严重影响了相应复合材料的整体导电性能。

技术实现思路

1、为解决现有技术存在的缺陷，本专利技术提供一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法。

2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案：

3、本专利技术一种石墨烯与纳米粒子导电膜，按质量份数计，所述石墨烯与纳米粒子导电膜包括以下制备原料：

4、膏状氧化石墨烯30-50份；

5、分散剂3-8份；

6、还原剂1-3份；

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【技术保护点】

1.一种石墨烯与纳米粒子导电膜，其特征在于，按质量份数计，所述石墨烯与纳米粒子导电膜包括以下制备原料：

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯与纳米粒子导电膜，其特征在于，所述还原剂为氢碘酸、硫酸亚铁、亚硫酸钠、亚硫酸氢钠、二氧化硫和维C中的任意一种或多种混合物。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯与纳米粒子导电膜，其特征在于，所述分散剂为硅烷偶联剂合物，所述导电填料为氧化铜纳米粒子，所述氧化粉的粒度为200目～400目。

4.一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法，其特征在于，包括权利要求1-3任意一项所述的一种石墨烯与纳米粒子导电膜，该制备方法包括以下步骤...

【技术特征摘要】

1.一种石墨烯与纳米粒子导电膜，其特征在于，按质量份数计，所述石墨烯与纳米粒子导电膜包括以下制备原料：

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯与纳米粒子导电膜，其特征在于，所述还原剂为氢碘酸、硫酸亚铁、亚硫酸钠、亚硫酸氢钠、二氧化硫和维c中的任意一种或多种混合物。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯与纳米粒子导电膜，其特征在于，所述分散剂为硅烷偶联剂合物，所述导电填料为氧化铜纳米粒子，所述氧化粉的粒度为200目～400目。

4.一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法，其特征在于，包括权利要求1-3任意一项所述的一种石墨烯与纳米粒子导电膜，该制备方法包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法，其特征在于，所述步骤s1中的搅拌采用行星方式带双刀盘，搅拌速度为20～50r/min，分散刀盘速度为2000～3500r/min，搅拌时间为20～120min。

6.根据权利要求4所述的一种石墨烯与纳米粒子导电膜制备方法，其特征在于，所述步骤s2的搅拌速度为20～50r/min，分散刀盘速度为1000～1500r...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵利平，吴红，
申请(专利权)人：深圳稀导技术有限公司，
类型：发明
国别省市：