使用多程激光划刻工艺及等离子体蚀刻工艺的混合晶片切割方法技术

本案描述切割半导体晶片的方法。在一实例中，切割在其上具有集成电路的半导体晶片的方法包括在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用多程激光划刻工艺图案化掩模以提供具有间隙的图案化掩模，所述间隙暴露在集成电路之间的半导体晶片区域，多程激光划刻工艺包括沿第一边缘划刻路径的第一程、沿中心划刻路径的第二程、沿第二边缘划刻路径的第三程、沿第二边缘划刻路径的第四程、沿中心划刻路径的第五程及沿第一边缘划刻路径的第六程。然后穿过图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻半导体晶片以单体化集成电路。

【技术实现步骤摘要】

本揭示案的实施方式关于半导体处理领域，且特定而言关于切割半导体晶片的方法，每个晶片上具有多个集成电路。

技术介绍

1、在半导体晶片处理中，集成电路形成于由硅或其他半导体材料组成的晶片(亦称为基板)上。一般而言，利用半导电、导电或绝缘的各种材料的层形成集成电路。使用各种熟知工艺对这些材料进行掺杂、沉积及蚀刻以形成集成电路。处理每个晶片以形成大量包含集成电路的独立区域(称为裸片)。

2、在集成电路形成工艺之后，晶片经“切割”以将各个裸片彼此分开，以用于封装或以未封装的形式用于较大电路内。用于晶片切割的两种主要方法为划刻及锯切。在划刻时，尖端装金刚石的划刻器沿着预先形成的划线在晶片表面上移动。这些划线沿着裸片之间的空间延伸。这些空间通常称为“划道”。金刚石划刻器沿着划道在晶片表面中形成浅划痕。在施加压力(诸如使用辊施加)时，晶片沿着划线分开。晶片中的断裂遵循晶片基板的晶格结构。划刻可以用于约10密尔(mil)(千分之一英寸)或更小厚度的晶片。对于较厚的晶片，锯切为当前进行切割的较佳方法。

3、在锯切时，以每分钟高转速旋转的尖端装金刚石的锯本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于切割包括多个集成电路的半导体晶片的系统，所述系统包括：

2.如权利要求1所述的系统，其中所述激光组件被配置为提供基于飞秒的激光光束。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述激光组件被配置为提供具有约10微米的光斑大小的激光光束。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述第一边缘划刻路径的中心与所述中心划刻路径的中心之间的间距为约5微米，并且所述中心划刻路径的中心与所述第二边缘划刻路径的中心之间的间距为约5微米。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述第一边缘划刻路径的中心与所述中心划刻路径的中心之间的间距为约8微米，并且所述中心划刻路径...

【技术特征摘要】

1.一种用于切割包括多个集成电路的半导体晶片的系统，所述系统包括：

2.如权利要求1所述的系统，其中所述激光组件被配置为提供基于飞秒的激光光束。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述激光组件被配置为提供具有约10微米的光斑大小的激光光束。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述第一边缘划刻路径的中心与所述中心划刻路径的中心之间的间距为约5微米，并且所述中心划刻路径的中心与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴正来，詹姆斯·S·帕帕努，艾杰伊·库玛，类维生，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：