液晶介质制造技术

技术编号:42612847 阅读:30 留言:0更新日期:2024-09-03 18:19
本发明专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质,其中各个基团各自彼此独立地并且在每次出现时相同或不同地具有以下含义:R11表示具有2‑12个C原子的烯基,L1和L2表示F、Cl、CF3、OCF3或CHF2,n表示1或2,A表示反式1,4‑亚环己基或1,4‑亚苯基基团,其也可以被一个或两个相同或不同的基团L1取代,并涉及其用于有源矩阵显示器,特别是基于VA、PSA、PS‑VA、PA‑VA、PALC、FFS、PS‑FFS、IPS或PS‑IPS效应的有源矩阵显示器的用途。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶介质,特别是基于极性化合物的混合物的液晶介质,其包含至少一种式i的化合物,其中各个基团各自彼此独立并且在每次出现时相同或不同地具有以下含义:r11表示具有2-12个c原子的烯基基团,l1和l2表示f、cl、cf3、ocf3或chf2,n表示1或2,a表示反式-1,4-亚环己基或1,4-亚苯基,其也可以被一个或两个相同或不同的基团l1取代,和涉及其用于有源矩阵显示器,特别是基于va、psa、ps-va、pa-va、palc、ffs、ps-ffs、ips或ps-ips效应的有源矩阵显示器的用途。该类型介质特别可用于具有基于ecb效应的有源矩阵寻址的电光显示器并可用于ips(面内切换)显示器或ffs(边缘场切换)显示器。


技术介绍

1、电控双折射、ecb效应亦或dap(配向相畸变)效应的原理首次描述于1971年(m.f.schieckel和k.fahrenschon,"deformation of nematic liquid crystals withvertical orientation in electrical fields",app本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.液晶介质,特征在于其包含至少一种式I的化合物,

2.根据权利要求1的液晶介质,特征在于式I的化合物选自以下子式:

3.根据权利要求1或2的液晶介质,特征在于其额外地包含一种或多种式A的化合物,

4.根据权利要求1-3的一项或多项的液晶介质,特征在于其包含一种或多种选自以下子式的化合物:

5.根据权利要求1-4的一项或多项的液晶介质,特征在于其额外地包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC化合物的化合物

6.根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介质,特征在于其额外地包含一种或多种式III的化合物,

7.根据权利要...

【技术特征摘要】

1.液晶介质,特征在于其包含至少一种式i的化合物,

2.根据权利要求1的液晶介质,特征在于式i的化合物选自以下子式:

3.根据权利要求1或2的液晶介质,特征在于其额外地包含一种或多种式a的化合物,

4.根据权利要求1-3的一项或多项的液晶介质,特征在于其包含一种或多种选自以下子式的化合物:

5.根据权利要求1-4的一项或多项的液晶介质,特征在于其额外地包含一种或多种选自式iia、iib和iic化合物的化合物

6.根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介质,特征在于其额外地包含一种或多种式iii的化合物,

7.根据权利要求1-6的一项或多项的液晶介质,特征在于所述介质额外地包含一种或多种式t-1至t-21的三联苯,

8.根据权利要求1-7的一项或多项的液晶介质,特征在于所述介质额外地包含一种或多种式o-1至o-17的化合物,

9.根据权利要求1-8的一项或多项的液晶介质,特征在于所述介质额外地包含一种或多种式in的茚满化合物,

10.根据权利要求1-9的一项或多项的液晶介质,特征在于式i的化合物在整个混合物中的比例为≥1wt%。

11.根据权利要求1-10的一项或多项的液晶介质,特征在于其额外地包含一种或多种可聚合化合物。

12.根据权利要求1-11的一项或多项的液晶介质,特征在于基于所述介质计,所述可聚合化合物的浓度为0.01-5wt%。

13.根据权利要求1-12的一项或多项的液晶介质,特征在于所述可聚合化合物选自式i*的化合物

14.根据权利要求1-13的一项或多项的液晶介质,特征在于所述介质额外地包含一种或多种添加剂。

15.根据权利要求1-14的一项或多项的液晶介质,特征在于所述添加剂选自自由基...

【专利技术属性】
技术研发人员:哈拉德·赫施曼马蒂纳·温德赫斯特莫尼卡·鲍尔沃克尔·雷芬拉瑟马蒂亚斯·布雷默
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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