【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在其内部埋入存储器,微处理器(CPU)等集成电路 的以电子卡为典型的卡,并且涉及将该电子卡利用于自动存取款卡 (ATM (Automated Teller Machine ) card)时,记录交易内容的记 账系统。
技术介绍
利用磁性进行记录的磁卡可以记录的数据仅有几十字节(byte), 相对于此,内部埋有半导体存储器的电子卡一般可以记录5KB,或更 多,后者可以确保的容纳量之大是前者不可同日而语的。而且,电子 卡不象磁卡那样要使卡接触铁砂这样的物理方法从而读出数据,另 外,电子卡还有存储的数据很难被篡改的优势。另外,以电子卡为典型的卡包括代替身份证的E)卡,以及如塑 料卡那样可以弯曲的半硬卡等。近几年,除了存储器,CPU也祐:搭栽到智能卡(smart card,又 称集成电路IC卡)上,使智能卡的高功能化得到进一步发展。智能 卡的用途非常广泛,包括用于自动存取款卡,信用卡,预付卡,会诊 卡,象学生证或职员证这样的身份证明证,月票,会员证等。作为高 功能化的一个例子,下面的专利文件l中提出了一种智能卡,该卡搭 载有可以显示简单文字和数字等的显 ...
【技术保护点】
一种使用卡的记账系统,所述卡包括: 显示器件,包括第一半导体元件,所述第一半导体元件包括第一多晶半导体膜;及 薄膜集成电路,包括第二半导体元件,所述第二半导体元件包括第二多晶半导体膜; 其中所述薄膜集成电路和所述显示器件被 树脂覆盖并密封在第一衬底和第二衬底之间,所述树脂与所述第二衬底连接在一起, 其中所述显示器件电连接到所述第一薄膜集成电路,和所述显示器件的驱动由所述薄膜集成电路控制,及 其中信息记录在所述薄膜集成电路中且在所述显示器件中显示。
【技术特征摘要】
JP 2002-12-27 2002-3788531. 一种使用卡的记账系统,所述卡包括显示器件,包括第一半导体元件,所述第一半导体元件包括第一多晶半导体膜;及薄膜集成电路,包括第二半导体元件,所述第二半导体元件包括第二多晶半导体膜;其中所述薄膜集成电路和所述显示器件被树脂覆盖并密封在第一衬底和第二衬底之间,所述树脂与所述第二衬底连接在一起,其中所述显示器件电连接到所述第一薄膜集成电路,和所述显示器件的驱动由所述薄膜集成电路控制,及其中信息记录在所述薄膜集成电路中且在所述显示器件中显示。2. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述信息是账户余额、交易金额、日期或卡的所有人的图像。3. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述第一衬 底和所述第二村底包括塑料材料。4. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,还包括 第二薄膜集成电路,其中所述第一薄膜集成电路和第二薄膜集成电路层叠在一起。5. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,还包括绝缘膜, 其中所述显示器件和所述第 一薄膜集成电路与所述绝缘膜连接在一 起。6. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,还包括 天线;及绝缘膜,其中所述显示器件、所述第 一薄膜集成电if各和所述天线与所述绝 缘膜连接在一起。7. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述显示器 件包括第三衬底。8. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,还包括第二薄膜 集成电路,所述第二薄膜集成电路包括具有第三多晶半导体膜的第三 半导体元件;其中所述第一薄膜集成电路和第二薄膜集成电路相互层叠在一起。9. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,还包括绝缘膜, 其中所述显示器件和所述第一薄膜集成电路和第二薄膜集成电路中 一个薄膜集成电路与所述绝缘膜连接在一起。10. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,还包括粘合剂, 所述粘合剂在所述薄膜集成电路和所述显示器件下面,并且与所述第 一衬底连接在一起。11. 根据权利要求10所述的使用卡的记账系统,其中所述粘合 剂是光固化粘合剂。12. 根据权利要求10所述的使用卡的记账系统,其中所述粘合 剂包括粉末或填充物,所述粉末包含4艮、镍、铝和氮化铝中之一。13. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述卡的厚 度/人0.05 mm到1.5 mm。14. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述显示器 件是无源矩阵类型显示器件。15. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述显示器 件^L有源矩阵类型显示器件。16. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述显示器 件是液晶显示器件。17. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述显示器 件是发光器件。18. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述卡是包 含ATM卡、月票或预付卡的IC卡。19. 根据权利要求1所述的使用卡的记账系统,其中所述卡是ID卡。20. 根据权利要求1所述的使用卡的记...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,高山彻,丸山纯矢,后藤裕吾,大野由美子,秋叶麻衣,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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