一种三相功率模块制造技术

本技术公开了一种三相功率模块，包括：包括全桥逆变器、与全桥逆变器连接的直流端口以及与全桥逆变器连接的三相输出端口，其中，全桥逆变器包括多个MOSFET功率开关管，还包括：至少两个电流采集电路，与至少两个所述功率开关管连接，用于获取三相输出端口的输出电流；数字芯片，至少具有第一输入端子以及第二输入端子，其中，第一输入端子以及第二输入端子与电流采集电路连接；以及具有多个输出端子，与功率开关管连接，用于为功率开关管提供驱动信号。本技术公开的三相功率模块具有工作效率及集成度高，且损耗低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电力电子，尤其涉及一种三相功率模块。

技术介绍

1、智能功率模块(ipm)是一种功率驱动类产品，其将功率开关管与驱动控制芯片集成在一起，以其高集成度、高可靠性等优势而应用广泛，尤其适用于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是应用于变频调速、变频家电的一种理想电力电子器件。

2、现有的ipm功率模块通常由igbt功率开关管组成，然而igbt功率开关管的开关速度不高，且在高温下表现出较大的开关损耗。

3、随着市场需求的增长，研究一种高效、损耗小、高集成度的智能功率模块是十分必要的。

技术实现思路

1、因此，本技术提供了一种三相功率模块，其目的在于提供一种高效、损耗小、高集成度的三相功率模块。

2、为实现上述目的，本申请提供了一种三相功率模块，包括：

3、全桥逆变器、与所述全桥逆变器连接的直流端口以及与所述全桥逆变器连接的三相输出端口，其中，所述全桥逆变器包括多个mosfet功率开关管，其特征在于，包括：

4、至少两个电流采集电路，与至少两个所述功率本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三相功率模块，包括全桥逆变器、与所述全桥逆变器连接的直流端口以及与所述全桥逆变器连接的三相输出端口，其中，所述全桥逆变器包括多个MOSFET功率开关管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三相功率模块，其特征在于，所述数字芯片包括：

3.根据权利要求2所述的三相功率模块，其特征在于，所述数字芯片包括：连接在所述数字处理芯片与所述第一输入端子、第二输入端子之间的第一处理电路，所述第一处理电路包括：

4.根据权利要求2所述的三相功率模块，其特征在于，所述数字芯片包括：连接在所述数字处理芯片与多个所述输出端子之间的第二处理电路，所述第二处理电...

【技术特征摘要】

1.一种三相功率模块，包括全桥逆变器、与所述全桥逆变器连接的直流端口以及与所述全桥逆变器连接的三相输出端口，其中，所述全桥逆变器包括多个mosfet功率开关管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三相功率模块，其特征在于，所述数字芯片包括：

3.根据权利要求2所述的三相功率模块，其特征在于，所述数字芯片包括：连接在所述数字处理芯片与所述第一输入端子、第二输入端子之间的第一处理电路，所述第一处理电路包括：

4.根据权利要求2所述的三相功率模块，其特征在于，所述数字芯片包括：连接在所述数字处理芯片与多个所述输出端子之间的第二处理电路，所述第二处理电路包括：

5.根据权利要求1、2、3或4所述的三相功率模块，其特征在于，所述数字芯片还包括：

6.根据权利要求1、2、3或4所述的三相功率模块，其特征在于，所述数字芯片还包括：

7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯，罗伊逍，李伟，吴迪，郑礼成，高跃，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：新型
国别省市：