【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
根据本公开的技术(在下文中,也称为“本技术”)涉及表面发射激光器和用于制造表面发射激光器的方法。
技术介绍
1、在现有技术中,已知一种表面发射激光器,在该表面发射激光器中,包括有源层的中间结构和材料体系与中间结构的材料体系不同的多层反射器(例如,下反射器)彼此结合(例如,参见专利文献1和非专利文献1)。
2、引用列表
3、专利文献
4、专利文献1:jp h11-186653a。
5、非专利文献1:在1550nm频带中发射的晶片熔融vcsel的8mw基本模式输出(8mwfundamental mode output of waferfused vcsels emitting in the 1550-nm band)。
技术实现思路
1、技术问题
2、现有技术中的表面发射激光器由于多层反射器的材料体系而具有优点和缺点。
3、因此,本技术的主要目的是提供一种能够补偿由于整个反射器中的多层反射器的材料体系而引起的反射器的缺点的
...【技术保护点】
1.一种表面发射激光器,包括:
2.根据权利要求1所述的表面发射激光器,其中,所述第一多层反射器和所述第二多层反射器两者都是半导体多层反射器。
3.根据权利要求1所述的表面发射激光器,
4.根据权利要求1所述的表面发射激光器,
5.根据权利要求3所述的表面发射激光器,其中,所述第二多层反射器设置在所述第一多层反射器与所述有源层之间。
6.根据权利要求5所述的表面发射激光器,其中,所述有源层由GaAs基化合物半导体或GaAsP基化合物半导体制成。
7.根据权利要求5所述的表面发射激光器,其中,所述有
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种表面发射激光器,包括:
2.根据权利要求1所述的表面发射激光器,其中,所述第一多层反射器和所述第二多层反射器两者都是半导体多层反射器。
3.根据权利要求1所述的表面发射激光器,
4.根据权利要求1所述的表面发射激光器,
5.根据权利要求3所述的表面发射激光器,其中,所述第二多层反射器设置在所述第一多层反射器与所述有源层之间。
6.根据权利要求5所述的表面发射激光器,其中,所述有源层由gaas基化合物半导体或gaasp基化合物半导体制成。
7.根据权利要求5所述的表面发射激光器,其中,所述有源层具有由algainas或gainasp制成的量子阱结构。
8.根据权利要求6所述的表面发射激光器,其中,所述有源层的发光波长等于或大于1.2μm且等于或小于2μm。
9.根据权利要求3所述的表面发射激光器,
10.根据权利要求9所述的表面发射激光器,其中,所述第一层和所述第二层彼此接合。
11.根据权利要求3所述的表面发射激光器,其中,所述第一结构进一步包括基板,所述基板设置在所述第一反射器的与所述有源层的一侧相对的一侧。
12.根据权利要求1所述的表面发射激光器,其中,所述第一材料体系是gaas/alxga1-xas(0<x≦1)。
13.根据权利要求1所述的表面发射激光器,其中,所述第二材料体系包括algainas。
14.根据权利要求13所述的表面发射激光器,其中,所述第二材料体系是inp/algainas或alinas/algainas。
15.根据权利要求9所述的表面发射激光器,其中,所述中间层的厚度等于或小于300nm。
16.根据权利要求1所述的表面发射层,其中,所述第二多层反射器中的对数等于或大于1且等于或小于20。
17.根据权利要求1所述的表面发射激光器,其中,所述第二反射器是介电多层反射器。
18.根据权利要求1所述的表面发射激光器,其中,所述第二反射器由包含sio2、tio2、ta2o5、sin、非晶si、mgf2和caf2中的至少一种的材料制成。
19.一种用于制造表面发射激光器的方法,包括:
20.根据权利要求19所述的用于制造表面发射激光器的方法,其中,在将所述第一半导体结构接合至所述第二基板与形成所述第二半导体结构之间执行所述厚度的减小。
21.一种表面发射激光器,包括:
22.根据权利要求21所述的表面发射激光器,其中,所述有源层包括分别对应于多个所述隧道结层的多个发光区域。
23.根据权利要求21所述的表面发射激光器,其中,多个所述隧道结层中的两个相邻隧道结层之间的间隔大于多个所述隧道结层中的每一个隧道结层的直径。
24.根据权利要求23所述的表面发射激光器,其中,所述间隔是所述直径的3倍或更大。
25.根据权利要求23所述的表面...
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