本发明专利技术提供薄膜晶体管基板、显示面板、显示装置及其制造方法。一种薄膜晶体管基板包含多个行数据线以及多个列扫描线。所述数据线与所述扫描线定义出多个像素区域，其中每一像素区域包含至少一像素电极、至少一储存电极以及一介电层。像素电极与储存电极彼此相对而设，储存电极具有一透光部及一非透光部。介电层设置于储存电极与像素电极之间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种。
技术介绍
请同时参考图1A及图1B，其中图1A为公知的薄膜晶体管基板1的俯视图，图IB 为图1A中沿A-A线的剖面示意图。薄膜晶体管基板1具有一像素电极11、一储存电极12、 一介电层13及一基板14。储存电极12设置于基板14上，像素电极11设置于储存电极12 之上，而介电层13设置于像素电极11及储存电极12之间，使得像素电极11及储存电极12 之间形成一储存电容。 由于储存电容的电容值会影响画面品质好坏，例如当电容值太小时画面容易产生 闪烁(flicker)及串音(cross-talk)等现象，因此，如何维持足够的电容值是为必要的考 量设计。常见的做法是利用不透光的金属作为储存电极，以提高储存电容值，然而不透光的 金属将会导致像素的开口率下降，进而对影像的显示效果与品质造成影响。
技术实现思路
有鉴于上述课题，本专利技术的目的为提供一种能提高电容值及开口率的薄膜晶体管 基板、显示面板、显示装置及其制造方法。 为达上述目的，依据本专利技术的一种薄膜晶体管基板包含多个行数据线以及多个列 扫描线。所述数据线与所述扫描线定义出多个像素区域，其中每一像素区域包含至少一像 素电极、至少一储存电极以及一介电层。储存电极与像素电极相对而设，且储存电极具有一 透光部及一非透光部。介电层设置于储存电极与像素电极之间。 为达上述目的，依据本专利技术的一种显示面板包含一对向基板及一薄膜晶体管基 板。薄膜晶体管基板与对向基板相对而设，且薄膜晶体管基板具有多个行数据线及多个列 扫描线，所述数据线与所述扫描线定义出多个像素区域，其中每一像素区域内包含至少一 像素电极、至少一储存电极及一介电层。储存电极与像素电极相对而设，且储存电极具有一 透光部及一非透光部。介电层设置于储存电极与像素电极之间。 为达上述目的，依据本专利技术的一种显示装置包含一背光模组及一显示面板。显示 面板是邻设于背光模组，其中显示面板包含一对向基板及一薄膜晶体管基板。薄膜晶体管 基板与对向基板相对而设，且薄膜晶体管基板包含至少一像素电极、至少一储存电极及一 介电层。储存电极与像素电极相对而设，且储存电极具有一透光部及一非透光部。介电层 设置于储存电极与像素电极之间。 为达上述目的，依据本专利技术的一种薄膜晶体管基板的制造方法包含以下步骤于 一基板上形成一储存电极，其中储存电极具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素电 极于储存电极之上。 为达上述目的，依据本专利技术的一种显示面板的制造方法包含以下步骤于一基板 上形成一储存电极，其中储存电极具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素电极于储存电极之上。 为达上述目的，依据本专利技术的一种显示装置的制造方法包含以下步骤于一基板 上形成一储存电极，其中储存电极具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素电极于储 存电极之上。 承上所述，依据本专利技术的一种薄膜晶体管基板、显示面板、显示装置及其制造方 法，是将储存电极与像素电极相对而设，使得储存电极的透光部及非透光部分别与像素电 极形成一储存电容。本专利技术利用透光部以提高储存电容值，相对地非透光部的面积可縮小， 进而可提高像素的开口率。附图说明图1A为一种公知薄膜晶体管基板的示意图； 图1B为图1A的A-A线的剖面图2为依据本专利技术优选实施例的一种薄膜晶体管基板的示意图3A为依据本专利技术优选实施例的一种薄膜晶体管基板的一像素区域的示意图3B为图3A的B-B线的剖面图4A及图4B为依据本专利技术优选实施例的一种薄膜晶体管基板的像素区域的变化态样示意图5为依据本专利技术优选实施例的一种薄膜晶体管基板的制造方法的流程图6A至图6C为图5的薄膜晶体管基板的制造示意图7为图5的形成储存电极的制造方法的流程图8A至图8E为图7的薄膜晶体管基板的制造流程示意图9为图5的形成储存电极的另一种制造方法的流程图；以及图10A至图10F为图9的薄膜晶体管基板的制造流程示意图。主要元件符号说明1、2:薄膜晶体管基板 12、22 :储存电极 14、23 :基板 242 :第二绝缘层221 :透光部Dl^ DL迈:数据线 Sl^ SLn :扫描线11、21 :像素电极13、24 :介电层241 :第一绝缘层14、23 :基板 222 :非透光部 D丄、D2、D3、D4:透光导电层 L3:图案化光致抗蚀剂层 Ls:第二图案化光致抗蚀剂层 TF1\ :薄膜晶体管!^:非透光导电层 L4:第一图案化光致抗蚀剂层 M:半色调网点光掩模 Sll S13 :薄膜晶体管基板的制造方法的步骤Slll S114、S121 S126 :储存电极的制造方法的步骤Vd:数据电压具体实施例方式以下将参照相关图式，说明依本专利技术优选实施例的薄膜晶体管基板、显示面板、显 示装置及其制造方法，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。 图2为本专利技术优选实施例的一种薄膜晶体管基板2的示意图。薄膜晶体管基板2 包含多个行数据线Dl^ DLm及多个列扫描线Sl^ SLn，所述数据线Dl^ DLm与所述扫描 线Sl^ SLn定义出多个像素区域，其中每一像素区域包含至少一像素电极21及至少一储 存电极22。 请参照图3A所示，为简化说明，于此是以数据线Dl^及扫描线Sl^及其所构成的像 素区域为例说明。数据线Dl^及扫描线Sl^邻设于像素电极21，且数据线Dl^是提供一数据 电压Vd予一薄膜晶体管TFTp并与像素电极21电性连接。像素电极21与扫描线S1^的距 离D工及像素电极21与数据线Dl^的距离D2分别约大于或等于3. 5微米，以避免耦合电容 效应过大而导致串音(cross talk)问题产生。 请再参考图3B所示，其是为图3A的薄膜晶体管基板2中沿B-B线的剖面图，薄膜晶 体管基板2包含一像素电极21及一储存电极22。储存电极22与像素电极21相对而设，储 存电极22具有一透光部221及一非透光部222。本实施例中，储存电极22设置于一基板23 之上，而像素电极21设置于储存电极22之上，储存电极22与像素电极21形成一储存电容。 储存电极22的非透光部222设置于透光部221之上，并相互接触，当然，透光部 221亦可设置于非透光部222之上，在此并不加以限制。其中透光部221的材质包含铟锡氧 化物(IT0)、铟锌氧化物(IZ0)、铝锌氧化物(AZ0)、镓锌氧化物(GZO)或氧化锌(ZnO)，而非 透光部222的材质包含铜、铝、钼、银、铬、钛、鸨或其组合。 薄膜晶体管基板2更包含一介电层24，其是设置于储存电极22与像素电极21之 间，介电层24至少包含一第一绝缘层241及一第二绝缘层242。于本实施例中，介电层24 是以包含第一绝缘层241及第二绝缘层242为例，其中第一绝缘层241的材质包含氧化硅、 氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钒、氧化钌或氧化铱，而第二绝缘层242的材质包 含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化钽。 请再参考图3A，需特别说明的是，透光部221的面积是可小于或等于像素电极21 的面积，且透光部221的长度与宽度均小于或等于像素电极21的长度与宽度。本实施例中， 当透光部221及像素电极21投影至同一平面，透光部221与部分像素电极21重迭。由于 储存电容值与储存电极的面积成正比且储存电容值与一液晶电容值在不同本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包含：多个行数据线；以及多个列扫描线，与所述数据线定义出多个像素区域，其中每一像素区域内包含：至少一像素电极，至少一储存电极，与该像素电极相对而设，该储存电极具有一透光部及一非透光部，及一介电层，设置在该储存电极与该像素电极之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴炳升，林必立，王志诚，吴政哲，
申请(专利权)人：奇美电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。