【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高温抗氧化涂层，具体涉及一种用于mosi2发热元件上的梯度yto涂层材料及其制备方法。
技术介绍
1、随着工业生产的飞速发展，对高温发热元件的使用要求提高。目前，国产mosi2发热元件能在1700℃长期使用，而进口mosi2发热元件最高使用温度可达1850℃。为了提高国产mosi2发热元件使用温度的同时延长其在高温氧化环境中的使用寿命，在国产mosi2发热元件表面制备高温抗氧化涂层。中国专利cn202310741979.7中利用球形薄壁空壳纳米全稳定四方ysz粉体，通过大气等离子喷涂技术制备了ysz涂层，但涂层内部有较多垂直裂纹，不能很好的保护基体；中国专利cn202010887388.7中利用aps法制备的稀土钽酸盐涂层，该方法工艺流程复杂且设备昂贵。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种梯度yto涂层材料及其制备方法。
2、本专利技术的技术解决方案如下：
3、一种梯度yto涂层材料，通过将钇盐与钽盐固...
【技术保护点】
1.一种梯度YTO涂层材料，其特征在于，通过将钇盐与钽盐固溶，在基体上每一梯度形成具有单斜晶体结构的单相化合物，所述单向化合物的物相组分：YTa3O9、YTaO4或Y3TaO7。
2.一种梯度YTO涂层材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种梯度YTO涂层材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，至少包括以下技术特征：
4.根据权利要求2所述的一种梯度YTO涂层材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，至少包括以下技术特征：
5.根据权利要求2所述的一种梯度YTO涂层材料的制备方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种梯度yto涂层材料，其特征在于，通过将钇盐与钽盐固溶，在基体上每一梯度形成具有单斜晶体结构的单相化合物，所述单向化合物的物相组分：yta3o9、ytao4或y3tao7。
2.一种梯度yto涂层材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种梯度yto涂层材料的制备方法，其特征在于，步骤s1中，至少包括以下技术特征：
4.根据权利要求2所述的一种梯度yto涂层材料的制备方法，其特征在于，步骤s2中，至少包括以下技术特征：
5.根据权利要求2所述的一种梯度yto涂层材料的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述溶胶凝胶浸渍提拉法具体如下：将基体浸渍在前驱体溶液中，浸渍60-180s后以0.8-1cm/min的速度将基体...
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