位准移位器及应用其的电路制造技术

一种位准移位器，由第一至第五晶体管所组成。第一与第二晶体管的第一端均耦接至第一供应电压。第三与第四晶体管的控制端分别接收第一与第二输入信号。第三与第四晶体管的第一端分别耦接至第二与第一晶体管的控制端。第三与第四晶体管的第一端并分别耦接至第一与第二晶体管的第二端。第三与第四晶体管的第二端均耦接至第二供应电压。第三与第四晶体管的第一端分别输出第一与第二输出信号。第五晶体管的第一端与控制端耦接至第一与第二晶体管其中之一与其中的另一的控制端。第五晶体管的第二端耦接至第二供应电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种位准移位器(电平移位电路，level shifting circuit)及应用其的电路，且特别是涉及一种低电流消耗且低复杂 度的位准移位器及应用其的电3各。
技术介绍
图1示出了传统位准移位器、其前级反相器与其后级反相器的 电路图。请参考图1。位准移位器100包括两个N型金属氧化物半 导体晶体管(NMOS) 110与120,以及两个P型金属氧化物半导体 晶体管(PMOS ) 130与140。位准移位器100由供应电压VH所驱 动。晶体管110与120的栅极分别接收输入信号A与A，。输入信号 A与A'分别为前级反相器150的输入与输出。在一般状态下，输入 信号A与AW皮此反相。晶体管110与120的源极接地。晶体管110 与120的漏极分别耦接至晶体管130与140的漏才及，分别耦接至晶 体管140与130的4册极，并输出输出信号B，与B。在一4殳状态下， 丰lT出信号B与B^皮此反相。晶体管130与140的源才及4妄收供应电 压VH。输出信号B输出至后级反相器160。其中，后级反相器160 为互4卜式金属氧4b物半导体 (Complementary Metal-O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种位准移位器，由下列元件所组成：　第一晶体管与第二晶体管，所述第一与第二晶体管的第一端均耦接至第一供应电压；　第三晶体管与第四晶体管，所述第三与第四晶体管的控制端分别接收第一输入信号与第二输入信号，所述第三晶体管的第一端耦接至 所述第二晶体管的控制端，所述第四晶体管的第一端耦接至所述第一晶体管的控制端，所述第三晶体管的第一端与所述第四晶体管的第一端还分别耦接至所述第一晶体管的第二端与所述第二晶体管的第二端，所述第三与第四晶体管的第二端均耦接至第二供应电压，所述第三晶体管的第一端用以输出第一输出信号，所述第四晶体管的第一端用以输出第二输出信号；以及　第五晶体管，所述第五晶...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗新台，洪绍评，
申请(专利权)人：瑞鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]