【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法。
技术介绍
1、蓝宝石(sapphire)具有优异的物理和化学性质。在工业和科技领域中，蓝宝石的应用非常广泛，尤其是在图形化蓝宝石衬底方面，其应用背景更是引人注目。图形化蓝宝石衬底是指将蓝宝石材料制备成块状或薄膜并进行加工处理，以用作光电器件、半导体器件和显示器件等的基底材料。
2、首先，图形化蓝宝石衬底在光电器件领域具有重要应用。蓝宝石具有良好的透明度和光学特性，能够实现高效的光传输和光发射。因此，它被广泛用于激光器、led(发光二极管)和光传感器等器件中。蓝宝石衬底可以提供优异的热稳定性和机械强度，使得器件能够在高温环境下工作，并且能够长时间保持良好的性能。
3、其次，图形化蓝宝石衬底在半导体器件领域也扮演着重要角色。半导体材料通常需要一个稳定的基底来支撑和提供晶格匹配，以确保器件的性能和可靠性。蓝宝石的晶格结构与一些半导体材料(如氮化镓)具有较好的匹配度，能够提供优异的晶体生长平台。这些特性使得图形化蓝宝石衬底成为制备高品质、高...
【技术保护点】
1.一种高深度微结构图形化半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述差异性沉积包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S201中，
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S202中，通过对靶材表面进行改性定向增大溅射产物的溅射角；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在对靶材表面进行改性前，进行预溅射，以备净化靶材表面状态。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S300中，根据薄膜选择与...
【技术特征摘要】
1.一种高深度微结构图形化半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述差异性沉积包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s201中，
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s202中，通过对靶材表面进行改性定向增大溅射产物的溅射角；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在对靶材表面进行改性前，进行预溅射，以备净化靶材表面状态。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢建航，王子荣，曾广艺，王农华，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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