【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种等离子体系统，且特别是有关于一种避免电极耗损的等离子体系统。
技术介绍
在半导体产业蓬勃发展之下，各式工艺方法及设备亦多元地被开发与使用。等 离子体可在基材的表面上进行表面清洁、表面蚀刻、深蚀刻(trench etching)、薄膜沉积 及表面成分改变，例如是亲水化处理、疏水化处理等。等离子体处理设备例如是等离子体 清洗设备(plasmacleaning)、等离子体辅助化学气相沉积(plasma enhance chemical vapord印osition， PECVD)、等离子体辅助反应式离子蚀亥lj (plasma enhancereactive ion etching, PERIE)、微波等呙子体氧化(micro wave plasmaoxidation)、微波等离子体氮化 (micro wave plasma nitridation)、离子金属等离子体沉禾只(ionized metal plasma, IMP) 及溅镀沉积(sputter)等等。 虽然等离子体整体是处于电中性的状态，但在等离子体气氛中，包含了许多不同 电位的粒子...
【技术保护点】
一种等离子体系统，用以产生一等离子体，所述离子体系统包括：一第一管体，该第一管体具有一第一进气口、一第一等离子体喷口、一第一端面及一第二端面，该第一进气口用以让一等离子体气体通过以进入至该第一管体内，该第一等离子体喷口贯穿该第一管体的管壁，该第一等离子体喷口用以让所述离子体通过以喷出至该第一管体外；一第一正电极，具有一第一正电极侧面及一第一正电极表面，第一正电极侧面连接于该第一正电极表面，该第一正电极侧面面对且邻近于该第一管体；以及一第一负电极，具有一第一负电极侧面及一第一负电极表面，该第一负电极侧面连接于该第一负电极表面，该第一负电极侧面面对且邻近于该第一管体，该第一负电...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志宏，蔡陈德，苏浚贤，许文通，蔡祯辉，黄骏，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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