本发明专利技术实施例提供一种支撑基板及其制备方法、复合基板、电子器件和模块。所述支撑基板由多晶材料形成，具有用于支撑压电层的主支撑面和与所述主支撑面相对的背面，所述背面的表面粗糙度Sz大于或者等于3微米，且所述背面的表面粗糙度Sa大于或者等于0.2微米。本发明专利技术实施例提供的支撑基板可实现合适的翘曲度，减少对后续工艺产生的不利影响、以及减少对产品其他性能参数的不利影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子器件加工制造，尤其涉及一种支撑基板及其制备方法、复合基板、电子器件和模块。
技术介绍
1、在一些弹性波器件中，例如saw（surface acoustic wave，声表面波滤波器）器件，更具体地tc-saw（温度补偿型滤波器）中需要使用压电层和支撑基板键合得到的复合基板。而对于键合用的支撑基板其翘曲度是一项重要的参数，当翘曲度过大时，将导致在后续制备芯片的工艺以及封装的工艺中只能手动上下机，无法实现设备自动作业。但是在生产过程中，不仅仅是要保证支撑基板具有合适的翘曲度，同时还要防止因仅仅为了实现合适翘曲度而导致的其他参数或者性能变劣的问题，防止对其他工序的效率、成本、产品良率等造成不利的影响，基于此原因，现有技术中暂未有合适的降低支撑基板翘曲度的方案。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于降低支撑基板的翘曲度，以降低生产难度问题，提供了一种支撑基板及其制备方法、复合基板、电子器件和模块，可以实现合适的翘曲度、减少对后续工艺产生的不利影响、以及减少对产品其他性能参数的不利影响。
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【技术保护点】
1.一种支撑基板，其特征在于，所述支撑基板由多晶材料形成，具有用于支撑压电层的主支撑面和与所述主支撑面相对的背面，所述背面的表面粗糙度Sz大于或者等于3微米，且所述背面的表面粗糙度Sa大于或者等于0.2微米。
2.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述背面的表面粗糙度Sz大于或者等于所述支撑基板的平均晶粒粒径。
3.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的厚度大于或者等于所述支撑基板的最大晶粒粒径的两倍。
4.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述主支撑面的表面粗糙度Sa小于或者等于0.6纳米。
>5.如权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种支撑基板，其特征在于，所述支撑基板由多晶材料形成，具有用于支撑压电层的主支撑面和与所述主支撑面相对的背面，所述背面的表面粗糙度sz大于或者等于3微米，且所述背面的表面粗糙度sa大于或者等于0.2微米。
2.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述背面的表面粗糙度sz大于或者等于所述支撑基板的平均晶粒粒径。
3.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的厚度大于或者等于所述支撑基板的最大晶粒粒径的两倍。
4.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述主支撑面的表面粗糙度sa小于或者等于0.6纳米。
5.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的翘曲度小于或者等于200微米。
6.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述主支撑面的总厚度偏差小于或者等于1微米。
7.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板在波长为240~780nm的波段下的透光率小于9%。
8.如权利要求7所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板在波长为550nm以下的波段下透光率小于0.1%。
9.如权利要求1所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的材料为多晶镁铝尖晶石、多晶蓝宝石、多晶氮化铝、多晶氧化镁、多晶石英中任意一者。
10.如权利要求2所述的支撑基板，其特征在于，所述支撑基板的厚度大于或者等于所述支撑基板的最大晶粒粒径的两倍。
11.如权利要求2所述的支撑基板，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：枋明辉，蔡文必，林仲和，黄世维，刘艺霖，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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