一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，属于微纳制造技术领域，通过将光刻胶薄膜置于悬空状态执行曝光过程，消除衬底对于光刻分辨率，然后通过透明载体将曝光后的光刻胶剥离并完成显影，之后将显影后的光刻胶图案转移释放至目标衬底。所述提升集成精度的方法在于光刻胶薄膜显影后的图案中同时包含套刻标记，在释放过程中将其与目标衬底上的标记进行对准，可显著提升异质集成精度。本发明专利技术将光刻技术的分辨率推进极限，甚至能够进一步拓展电子束与光学混合匹配光刻技术的应用场景，为跨尺度微纳结构、3D异质/异构系统、以及多功能光电子器件的制备和集成提供新的解决方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳制造，具体涉及一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法。

技术介绍

1、光刻（lithography）作为集成电路芯片制造过程中的关键技术，主要指的是将版图文件中的图案转移到光刻胶内部并在基底上（如硅片）进行显影的图形化过程，其工艺特性和应用场景往往受到光刻胶基底的制约（平坦度、导电性、是否易挥发、柔性或者刚性状态、能否进行湿法操作等），典型如：光刻分辨率，通常会受到基底所引入的驻波效应、充电效应（charging effect）、雾效应（fogging effect）、热效应等不利因素的影响。为优化上述问题，研究者们提出了一系列的改进办法，如引入抗反射涂层（si arc），旋涂导电胶、采用低热膨胀系数材料等方案。然而，基底仍然是限制光刻分辨率推进极限的因素之一。纳米转印技术（nanotransfer printing techniques）通过转移的方式能够将施主衬底上的功能纳米结构、甚至是纳米尺度的薄膜材料（如石墨烯、光刻胶）转移至任意形态的受主衬底（如曲面、玻璃、柔性基底等）上，为光刻工艺提供了新的技术路径，即可以在施主衬底上基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：

2.根据权利要求1所述的增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的基底为双抛硅片。

3.根据权利要求1所述的增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于步骤（1）所述的支撑层薄膜为SiO2或者Si3N4薄膜，其利用化学气相沉积CVD设备或者物理气相沉积设备PVD，在基底正、背面同时沉积。

4.根据权利要求1所述的增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的悬空支撑层薄膜的制备方法为采用光学光刻，利用掩膜版进行投影式曝...

【技术特征摘要】

1.一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：

2.根据权利要求1所述的增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的基底为双抛硅片。

3.根据权利要求1所述的增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于步骤（1）所述的支撑层薄膜为sio2或者si3n4薄膜，其利用化学气相沉积cvd设备或者物理气相沉积设备pvd，在基底正、背面同时沉积。

4.根据权利要求1所述的增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的悬空支撑层薄膜的制备方法为采用光学光刻，利用掩膜版进行投影式曝光，在背面获得光刻胶窗口图案；之后采用等离子刻蚀设备，刻透背面sio2薄膜，进行图案传递；接着采用湿法或者等离子体干法刻蚀过程将基底去除，获得悬空支撑层薄膜窗口。

5.根据权利要求1所述的增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述的光刻胶为pmma、su8、hsq、...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯波，王彪，黄飞凤，王乾丞，陈曌，陈鸿彬，陈艺勤，段辉高，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：