【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电工新材料，尤其涉及一种基于固态有机小分子碳源的强界面结合石墨烯铜基材料。
技术介绍
1、随着机械、电子等社会各行各业的迅速发展，高端设备及应用场景对其传统铜导体的导电性能、力学性能等提出了更高的要求。常规的导体材料改性方案是在铜基合金中加入第二相作为增强相，如氧化铝、稀土元素或者碳化物等，但在提升力学性能的同时，往往会降低铜基合金的导电性能。随着石墨烯、碳纳米管、富勒烯等纳米碳材料的出现，给铜基改性提出了新的思路。
2、基于石墨烯良好的本征性能，石墨烯铜复合材料具有优异的综合性能，但铜碳界面润湿性较差的问题阻碍了石墨烯铜的大规模推广应用。现有石墨烯生长工艺主要有物理剥离法、化学气相沉积法、氧化还原法、外延生长法等。不同石墨烯生长工艺所需的碳源不同，根据碳源形态，可分为固态碳源、气态碳源、液态碳源。目前主流的化学气相沉积法分为多使用气态的甲烷、乙醇等作为石墨烯的前驱体，所生长的石墨烯质量高和层数少。
3、由于甲烷的分解温度较高，以铜为生长基底时，生长温度约在1000℃左右，作为生长基底的铜粉在接近熔...
【技术保护点】
1.一种基于固态有机小分子碳源的强界面结合石墨烯铜基材料，其特征在于，按重量份数计，原料包括如下组分：
2.根据权利要求1所述的石墨烯铜基材料，其特征在于，按重量份数计，原料包括如下组分：
3.根据权利要求1所述的石墨烯铜基材料，其特征在于，所按重量份数计，原料包括如下组分：
4.权利要求1-3任一项所述的基于固态有机小分子碳源的强界面结合石墨烯铜基材料的制备方法，其特征在于，主要包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述旋蒸包括有如下步骤：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种基于固态有机小分子碳源的强界面结合石墨烯铜基材料，其特征在于，按重量份数计，原料包括如下组分：
2.根据权利要求1所述的石墨烯铜基材料，其特征在于，按重量份数计，原料包括如下组分：
3.根据权利要求1所述的石墨烯铜基材料，其特征在于，所按重量份数计，原料包括如下组分：
4.权利要求1-3任一项所述的基于固态有机小分子碳源的强界面结合石墨烯铜基材料的制备方法，其特征在于，主要包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述旋蒸包括有如下步骤：
【专利技术属性】
技术研发人员：高健峰，丁一，韩钰，祝志祥，刘辉，庞震，刘文杰，马瑜，陈保安，迟铖，张捷欣，刘倓，张丛睿，赵兴雨，李梦琳，陈瑞，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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