N12设计中的防违例绕线方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术针对现有技术中，N12设计复用N16 IP时，会出现DRC违例的问题，提出了一种N12设计中的防违例绕线方法、装置、设备及存储介质，其将原来的M3层出pin的N16 IP扩建成M5层出pin的新IP，并且在M5层以下的金属层以及相应的VIA通孔设置了绕线阻塞区域，而在M5层并没有设置绕线阻塞区域，因此工具会遵循N12的tech file进行M5层绕线，由于我们在M5层创建的金属形状metal shape和工具进行M5层绕线所依据的tech file是同一个，两者的width/spacing/pitch是保持一致的，故可以避免违例，减少了N12设计的周期。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体设计，尤其涉及一种n12设计中的防违例绕线方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

1、12nm工艺（n12）设计的一个重要特点是可以重复使用16nm工艺（n16）的ip，后端工程师可将n16 ip引入n12设计中，以此达到缩短n12设计周期的目的。ip指的是预先设计好的功能单元模块，这些模块可以是各种功能的电路单元，如处理器核心、内存控制器、接口模块、加密模块等，ip可以由第三方供应商提供，也可以由公司内部设计团队开发。使用预先设计好的ip可以显著减少开发时间和成本，并提高设计的可靠性和性能，因为这些ip通常已经经过充分验证和优化。

2、在n12设计中，n16 ip和n12的设计通过m2（第二金属层）和m3（第三金属层）进行连接。如表1所示，相较于n16 ip，n12中的m2和m3的金属线宽/线间距/线中心间距（width/spacing/pitch)较小，因此n16 ip和n12逻辑之间的连接需要遵循相应的绕线规则约束。

3、

4、表1

5、n12内部逻辑连线（net connectio本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种N12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，该方法基于芯片设计工具，其包括：

2.根据权利要求1所述的一种N12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，所述输入输出引脚位于所述N16功能单元模块的前侧边缘或者后侧边缘，所述输入输出引脚为前后方向。

3.根据权利要求1所述的一种N12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，所述向外延伸的长度为0.4μm。

4.根据权利要求1所述的一种N12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，所述金属形状的长度为0.5μm。

5.根据权利要求1所述的一种N12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，所述芯片设计工具采...

【技术特征摘要】

1.一种n12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，该方法基于芯片设计工具，其包括：

2.根据权利要求1所述的一种n12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，所述输入输出引脚位于所述n16功能单元模块的前侧边缘或者后侧边缘，所述输入输出引脚为前后方向。

3.根据权利要求1所述的一种n12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，所述向外延伸的长度为0.4μm。

4.根据权利要求1所述的一种n12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，所述金属形状的长度为0.5μm。

5.根据权利要求1所述的一种n12设计中的防违例绕线方法，其特征在于，所述芯片设计工具采用ic compiler ii。

6.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄佳燕，高振华，
申请(专利权)人：上海聪链信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：