一种基于布洛赫表面特征态的激光腔体结构制造技术

本发明专利技术公开一种基于布洛赫表面特征态的激光腔体结构，属于激光腔技术领域，包括：自上而下连接的P型电极、P型掺杂限制层、P型掺杂波导层、有源层、N型掺杂波导层、N型掺杂限制层、衬底、N型电极；在所述有源层中设置光子晶体。采用本发明专利技术的技术方案，可以使激光器产生更强的单向辐射、并且不需要反射镜结构，从而有效的减小激光器的体积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光腔，尤其涉及一种基于布洛赫表面特征态的激光腔体结构。

技术介绍

1、在成本方面，制造高性能激光器通常需要高昂的成本，这主要是因为制造过程中需要高纯度的材料、复杂的工艺流程以及精密的设备。这导致了激光器的价格较高，限制了其在某些应用中的普及和推广。在尺寸和集成度方面，一些传统的激光器尺寸较大，不利于集成到微型化设备中，例如光通信器件、医疗设备等。因此，需要开发更小型化、集成度更高的激光器，以适应不同应用的需求。在协调性和稳定性方面，激光器的波长范围和调谐性对于不同应用具有重要意义，但是一些激光器存在波长范围窄、调谐性差的问题，限制了其在某些应用中的适用性和灵活性。激光器的输出束质量和模式稳定性对于许多应用至关重要，特别是在激光加工、医疗、通信等领域。然而，一些激光器存在束质量不佳、模式不稳定的问题，影响了其应用的可靠性和效果。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是，提供一种基于布洛赫表面特征态的激光腔体结构，可以使激光器产生更强的单向辐射、并且不需要反射镜结构，从而有效的减小激光器的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于布洛赫表面特征态的激光腔结构，其特征在于，包括：自上而下连接的P型电极、P型掺杂限制层、P型掺杂波导层、有源层、N型掺杂波导层、N型掺杂限制层、衬底、N型电极；在所述有源层中设置光子晶体；其中，所述光子晶体由大硅介质柱和小硅介质柱周期排列组成，其中，大硅介质柱半径为0.33a，小硅介质柱半径为0.2a，a为500nm，大硅介质柱中掺杂砷化镓量子阱的增益介质。

2.如权利要求1所述的基于布洛赫表面特征态的激光腔结构，其特征在于，所述P型电极由DMP构成。

3.如权利要求1所述的基于布洛赫表面特征态的激光腔结构，其特征在于，所述衬底采用N型砷化镓材料制成。...

【技术特征摘要】

1.一种基于布洛赫表面特征态的激光腔结构，其特征在于，包括：自上而下连接的p型电极、p型掺杂限制层、p型掺杂波导层、有源层、n型掺杂波导层、n型掺杂限制层、衬底、n型电极；在所述有源层中设置光子晶体；其中，所述光子晶体由大硅介质柱和小硅介质柱周期排列组成，其中，大硅介质柱半径为0.33a，小硅介质柱半径为0.2a，a为500nm，大硅介质柱中掺杂砷化镓量子阱的增益...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐珂，费宇航，方明，黄志祥，吴先良，冯健，杨利霞，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：