【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及igbt模块,具体为一种igbt模块外壳生产用去毛刺装置。
技术介绍
1、igbt(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)具有高频率、高电压、大电流、尤其是容易开通和关断的性能特点,是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品,至今已经发展到第六代,商业化已发展到第五代。目前,igbt已广泛应用于国民经济的各行业中,igbt模块外壳一般通过注塑机进行注塑形成,注塑完成后,igbt模块外壳的表面具有较多毛刺,毛刺的存在一方面影响igbt模块外壳的美观,另一方面igbt模块外壳上需要焊接铝线,毛刺的存在可能影响铝线的导电性能,影响产品质量。
2、在现有的igbt模块外壳实际生产中,当igbt模块外壳注塑完成后,一般通过工人利用小刀将其表面的毛刺进行刮出,一方面人工去除毛刺工作效率较低,且人工成本较高,另一方面人工去除毛刺存在清楚不干净的情况,影响产品的正常使用,此外,人工使用小刀刮除,可能会伤害igbt模块外壳,降低产品质量。
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【技术保护点】
1.一种IGBT模块外壳生产用去毛刺装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块外壳生产用去毛刺装置,其特征在于,于所述清理单元处设有支撑架(6),所述支撑架(6)上设有用于驱动支架(5)进行水平方向移动的位移驱动机构(7),相应的位移驱动机构(7)的输出构件上还设有用于驱动支架(5)进行竖直方向移动的升降机构(8)。
3.根据权利要求2所述的一种IGBT模块外壳生产用去毛刺装置,其特征在于,所述夹持器(3)包括固定爪(9)和活动爪(10),所述固定爪(9)和活动爪(10)相配合用于夹持IGBT模块外壳(2),所述活动爪(
...【技术特征摘要】
1.一种igbt模块外壳生产用去毛刺装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的一种igbt模块外壳生产用去毛刺装置,其特征在于,于所述清理单元处设有支撑架(6),所述支撑架(6)上设有用于驱动支架(5)进行水平方向移动的位移驱动机构(7),相应的位移驱动机构(7)的输出构件上还设有用于驱动支架(5)进行竖直方向移动的升降机构(8)。
3.根据权利要求2所述的一种igbt模块外壳生产用去毛刺装置,其特征在于,所述夹持器(3)包括固定爪(9)和活动爪(10),所述固定爪(9)和活动爪(10)相配合用于夹持igbt模块外壳(2),所述活动爪(10)通过移动流体缸(11)进行水平方向上的移动。
4.根据权利要求3所述的一种igbt模块外壳生产用去毛刺装置,其特征在于,所述固定爪(9)和活动爪(10)围合呈用于放置igbt模块外壳(2)的固定槽(12),所述固定爪(9)和活动爪(10)的相对面上设有第一定位块(13),所述夹持器(3)上靠近活动爪(10)的一侧设有第二定位块(14)。
5.根据权利要求1所述的一种igbt模块外壳生产用去毛刺装置,其特征在于,所述上料单元包括承托板(15),所述承托板(15)位于夹持器(3)的下方,所述承托板(15)的下端面设有承托架(16),所述承托架(16)通过升降流体缸(28)进行竖直方向上的移动。
...【专利技术属性】
技术研发人员:王起,赵智远,
申请(专利权)人:青岛三重精密电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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