具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块及其制作方法技术

一种具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块及其制作方法，其中该构装结构模块包括：具有至少一个凹槽的驱动集成电路结构、容置于该驱动集成电路结构的凹槽内的发光二极管阵列结构、及多个导电结构。该驱动集成电路结构的侧壁形成有多个第一开槽。该发光二极管阵列结构的侧壁形成有多个分别邻近所述第一开槽的第二开槽。所述导电结构分别依序横跨所述第一开槽及所述第二开槽，以分别电连接于该驱动集成电路结构及该发光二极管阵列结构之间。本发明专利技术能够缩小产品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度电连接所需的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种构装结构模块及其制作方法，尤指一种具有高密度电 连接的嵌入式构装结构模块及其制作方法。
技术介绍
传统打印机所使用的光学打印头，乃以单一激光源，经过一套复杂的光 学系统将要打印的资料以光的信号方式转移到感光鼓，在感光鼓上形成静电 潜像，经碳粉吸附、转写、热压、除电等步骤，以达打印的需求。然而，激光打印头却因为其光学元件多、机构复杂且光程(optical path)较长，而使 得激光打印机在机构上存在着无法进一步縮小的问题。因此，目前打印机设 计者常使用发光二极管(LED)的光源来替代激光光源，以简化传统过于复 杂的光学机构。在发光二极管打印技术中，若要提高分辨率(resolution)的话，则需要 更小尺寸的发光二极管元件，以使得在相同的打印机头体积下，可容纳更多 的发光二极管。然而，在传统构装方法中，首先需要通过高精度的粘晶设备 将发光二极管阵列结构与驱动集成电路阵列(drive IC array)精确的平行放 置于印刷电路板上；接着在导线接合步骤中，以A4尺寸600dpi为例，需要 通过约5000条导线以电连接于每一个发光二极管阵列结构与每一个驱动集 成电路阵列之间，以使得每一个驱动集成电路能以电驱动每一个相对应的发 光二极管。因此，公知的构装方法，由于打线的条数及密度太高，将导致生产效率 不高及工艺难度增加的困扰，因而造成产品合格率降低及制造成本增加。此 外，随着市场上的需求，使用者对分辨率的要求越来越高，因此发光二极管 元件会做得越来越小，而造成打线接合工艺会更加的困难。为了解决上述问题，公知提供一种具有高密度电连接的构装结构模块， 其首先在驱动集成电路结构的上表面蚀刻出至少一个凹槽，然后将发光二极管阵列结构容置于该至少一个凹槽内，最后再通过半导体工艺进行该发光二 极管阵列结构及该驱动集成电路结构之间的电连接，以达到高密度电连接的 目的。然而，上述公知为达成高密度电连接的工艺仍显得复杂(尤其是半导体 工艺部分)，而造成制造时间及成本的增加，因此本专利技术人提出一种设计结 构，不仅改善了公知电连接合格率低、成本高的缺陷，而且进一步获得提升 产品分辨率的高性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题，在于提供一种具有高密度电连接的嵌入式 构装结构模块及其制作方法，并且本专利技术的嵌入式构装结构模块可为发光二 极管阵列结构模块。此外，该发光二极管阵列结构模块为一种光输出模块(light exposure module),其可应用在扫描器(scanner)与光电成像式(Electrophotography, EPG)打印机中。此外，本专利技术的技术特点在于(1)首先，在驱动集成电路结构的上 表面成形至少一个凹槽；(2)将发光二极管阵列结构容置于该至少一个凹 槽内，并且使得该发光二极管阵列结构与该驱动集成电路结构之间形成高度 差(heightdifference) ; (3)分别在该发光二极管阵列结构与该驱动集成电 路结构相邻近的两侧壁上制作用于电连接的凹槽；(4)在该驱动集成电路 结构上电镀焊锡材料；(5)将该电路板倾斜预定角度并进行回焊工艺，因 此在回焊过程中，该驱动集成电路结构上的焊锡材料将往较低处的发光二极 管阵列结构的方向流动，进而与该发光二极管阵列结构的焊盘连接，以达成 600dpi 1200dpi (dots per inch)高密度的电连接。因此，本专利技术可縮小产品 尺寸、降低材料成本、及降低因高密度电连接所需的生产成本。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案提供一种具有高密 度电连接的嵌入式构装结构模块，其包括驱动集成电路结构、发光二极管 阵列结构、及多个导电结构。其中，该驱动集成电路结构具有至少一个凹槽。 该发光二极管阵列结构容置于该驱动集成电路结构的凹槽内，并且该发光二 极管阵列结构靠近该驱动集成电路结构的侧壁具有多个第二开槽。所述导电 结构分别横跨所述第二开槽，以分别电连接于该驱动集成电路结构及该发光二极管阵列结构之间。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其中，该发光二 极管阵列结构的上表面与该驱动集成电路结构的上表面不等高。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其中，该驱动集 成电路结构的侧壁具有多个分别邻近所述第二开槽的第一开槽，并且每一个 导电结构横跨该相对应的第一开槽。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其中，每一个第一开槽的槽深介于50-100微米之间，并且每一个第二开槽的槽深介于 50-100微米之间。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，还进一步包括-具有至少一个输出/输入焊盘的基板及至少一个导电元件，其中该驱动集成 电路结构电连接地设置于该基板上，并且该导电元件电连接于该驱动集成电 路结构与该基板的输出/输入焊盘之间。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其中，该驱动集 成电路结构的上表面具有多个相对应所述第一开槽的驱动集成电路焊盘，并 且该发光二极管阵列结构的上表面具有多个相对应所述第二开槽的发光二 极管焊盘。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其中，该驱动集 成电路结构的上表面具有多个相对应所述第一开槽的驱动集成电路焊盘及 多个分别成形于所述驱动集成电路焊盘与所述第一开槽之间的第一导电轨 迹，并且该发光二极管阵列结构的上表面具有多个相对应所述第二开槽的发 光二极管焊盘及多个分别成形于所述发光二极管焊盘与所述第二开槽之间 的第二导电轨迹。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其中，每一个导 电结构分成三个依序电相连的第一部分、第二部分及第三部分，该第一部分 成形于该驱动集成电路结构的相对应驱动集成电路焊盘及第一导电轨迹上， 该第二部分依序横跨该相对应的第一开槽及第二开槽并成形于位于相对应 的第二开槽的侧壁上的第二导电轨迹上，并且该第三部分成形于相对应的第 二导电轨迹上表面以电连接于该发光二极管阵列结构的相对应发光二极管 焊盘。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其中，该发光二 极管阵列结构的上表面覆盖一层用以曝露出所述发光二极管焊盘及所述第 二导电轨迹的外侧端的绝缘层。如上所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其中，每一个导 电结构分成两个电相连的第一部分及第二部分，该第一部分成形于该驱动集 成电路结构的相对应驱动集成电路焊盘及第一导电轨迹上，该第二部分依序 横跨该相对应的第一开槽及第二开槽并且通过该绝缘层的阻挡而成形于相 对应的第二开槽的侧壁上及该相对应的第二导电轨迹的外侧端上。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种具有高 密度电连接的嵌入式构装结构模块的制作方法，其步骤包括首先，提供具 有至少一个凹槽的驱动集成电路结构及容置于该驱动集成电路结构的凹槽 内的发光二极管阵列结构，其中该驱动集成电路结构的上表面具有多个导电 材料，该发光二极管阵列结构靠近该驱动集成电路结构的侧壁具有多个第二 开槽，并且该发光二极管阵列结构的上表面高于该驱动集成电路结构的上表 面；接着，将该驱动集成电路结构电连接于基板上；然后，在回焊过程中将 该基板相对于水平面倾斜预定角度，以使得所述导电材料形成液态的导电材 料，并使所述液态的导电材料分别横跨所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其特征在于，包括：　驱动集成电路结构，其具有至少一个凹槽；　发光二极管阵列结构，其容置于该驱动集成电路结构的凹槽内，并且该发光二极管阵列结构靠近该驱动集成电路结构的侧壁具有多个第二开槽； 以及　多个导电结构，其分别横跨所述第二开槽，以分别电连接于该驱动集成电路结构及该发光二极管阵列结构之间。

【技术特征摘要】
1、一种具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其特征在于，包括驱动集成电路结构，其具有至少一个凹槽；发光二极管阵列结构，其容置于该驱动集成电路结构的凹槽内，并且该发光二极管阵列结构靠近该驱动集成电路结构的侧壁具有多个第二开槽；以及多个导电结构，其分别横跨所述第二开槽，以分别电连接于该驱动集成电路结构及该发光二极管阵列结构之间。2、 如权利要求1所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于该发光二极管阵列结构的上表面与该驱动集成电路结构的上表面 不等高。3、 如权利要求1所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于该驱动集成电路结构的侧壁具有多个分别邻近所述第二开槽的第 一开槽，并且每一个导电结构横跨该相对应的第一开槽。4、 如权利要求3所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于每一个第一开槽的槽深介于50~100微米之间，并且每一个第二 开槽的槽深介于50~100微米之间。5、 如权利要求1所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于，还进一步包括具有至少一个输出/输入焊盘的基板及至少一个 导电元件，其中该驱动集成电路结构电连接地设置于该基板上，并且该导电 元件电连接于该驱动集成电路结构与该基板的输出/输入焊盘之间。6、 如权利要求2所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于该驱动集成电路结构的上表面具有多个相对应所述第一开槽的驱 动集成电路焊盘，并且该发光二极管阵列结构的上表面具有多个相对应所述 第二开槽的发光二极管焊盘。7、 如权利要求2所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于该驱动集成电路结构的上表面具有多个相对应所述第一开槽的驱 动集成电路焊盘及多个分别成形于所述驱动集成电路焊盘与所述第一开槽 之间的第一导电轨迹，并且该发光二极管阵列结构的上表面具有多个相对应 所述第二开槽的发光二极管焊盘及多个分别成形于所述发光二极管焊盘与所述第二开槽之间的第二导电轨迹。8、 如权利要求7所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于每一个导电结构分成三个依序电相连的第一部分、第二部分及第 三部分，该第一部分成形于该驱动集成电路结构的相对应驱动集成电路焊盘 及第一导电轨迹上，该第二部分依序横跨该相对应的第一开槽及第二开槽并 成形于位于相对应的第二开槽的侧壁上的第二导电轨迹上，并且该第三部分 成形于相对应的第二导电轨迹上表面以电连接于该发光二极管阵列结构的 相对应发光二极管焊盘。9、 如权利要求7所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于该发光二极管阵列结构的上表面覆盖一层用以曝露出所述发光二 极管焊盘及所述第二导电轨迹的外侧端的绝缘层。10、 如权利要求9所述的具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块，其 特征在于每一个导电结构分成两个电相连的第一部分及第二部分，该第一 部分成形于该驱动集成电路结构的相对应驱动集成电路焊盘及第一导电轨 迹上，该第二部分依序横跨该相对应的第一开槽及第二开槽并且通过该绝缘 层的阻挡而成形于相对应的第二开槽的侧壁上及该相对应的第二导电轨迹 的外侧端上。11、 一种具有高密度电连接的嵌入式构装结构模块的制作方法，其特征 在于，包括下列步骤提供具有至少一个凹槽的驱动集成电路结构及容置于该驱动集成电路 结构的凹槽内的发光二极管阵列结构，其中该驱动集成电路结构的上表面具 有多个导电材料，该发光二极管阵列结构靠近该驱动集成电路结构的侧壁具 有多个第二开槽，并且该发光二极管阵列结构的上表面高于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明哲，
申请(专利权)人：环隆电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]