【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路,尤其是指一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路。
技术介绍
1、隔离类芯片在不同电压域工作时,往往高电压域和低电压域之间有几百伏的压差,当高电压域的电压以很快的速度进行高低压切换时,产生的高速电压变化率(dv/dt)会通过内部的隔离电容带来较大的共模电流,该共模电流会根据产生dv/dt的正负,来从接收端(rx)抽取或灌入电流,导致芯片功能发生异常,且共模电流越大影响程度越严重。因此,可以从共模电流的角度,来提高芯片的共模瞬态抗扰度(cmti)。
2、在dv/dt恒定时,经过隔离电容的电流i=c*dv/dt,共模电流的大小和隔离电容的容值成正比,可以降低隔离电容的容值来提高芯片的cmti,但是隔离电容的容值还影响载波信号的传输,隔离电容容值越大,接收端所能接受的载波信号的幅值越大,越利于解调,因此隔离电容容值的选型会在这两者之间进行折中。这样往往导致隔离类的芯片会固定存在无法减小的共模电流,需要通过其他方式来优化共模电流带来的影响。
技术实现思路
1、为
...【技术保护点】
1.一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,应用于隔离类芯片,其特征在于,包括:调制发送模块、隔离电容、第一差分放大器、第二差分放大器、电流补偿模块、解调模块、共模瞬态检测模块和脉冲屏蔽模块;
2.根据权利要求1所述的一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,其特征在于,所述调制发送模块采用OOK调制。
3.根据权利要求1所述的一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,其特征在于,所述第一差分放大器包括NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、电阻RCM1、电阻RCM2;
4.根据权利要求1所述的一种提高共模
...【技术特征摘要】
1.一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,应用于隔离类芯片,其特征在于,包括:调制发送模块、隔离电容、第一差分放大器、第二差分放大器、电流补偿模块、解调模块、共模瞬态检测模块和脉冲屏蔽模块;
2.根据权利要求1所述的一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,其特征在于,所述调制发送模块采用ook调制。
3.根据权利要求1所述的一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,其特征在于,所述第一差分放大器包括nmos管m3、nmos管m4、nmos管m5、nmos管m6、电阻rcm1、电阻rcm2;
4.根据权利要求1所述的一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,其特征在于,所述电流补偿模块包括第一补偿模块和第二补偿模块;
5.根据权利要求1或4所述的一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,其特征在于,所述共模瞬态检测模块包括第一比较器、第二比较器、或门和反相器;
6.根据权利要求5所述的一种提高共模瞬态抗扰度的隔离驱动接收电路,其特征在于,所述第一差分放大器的输入共模电压分别接所述第一比较器的同相输入端和所述第二比较...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜元凯,赵寿全,励晔,代高峰,黄昊丹,
申请(专利权)人:无锡硅动力微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。