【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体工艺腔室。
技术介绍
1、在实施半导体工艺的过程中，电荷会逐步在压环上聚集。当压环与晶圆之间的电势差过大的情况下，压环与晶圆会产生打火现象。
2、例如，在实施物理气相沉积(physical vapor deposition，简称pvd)工艺的过程中，需要利用压环压住晶圆的外周。在工艺进行过程中，会有大部分带电粒子落在压环上，小部分落在晶圆上，而压环处于悬浮态，带电粒子不断的下落会使其产生电荷积累。当晶圆的衬底为导电性差的材料或者晶圆(例如晶圆具体为玻璃晶圆)本身导电性较差的情况下，压环和晶圆的电荷难以转移，压环会与晶圆表面沉积的金属膜之间形成非常大的电势差，从而容易出现打火现象。
3、此外，粒子的沉积在压环上会使得压环的温度上升，压环一方面会通过热辐射向四周传递有限的热量，一方面会通过与晶圆接触区域的热传导传递大量的热量，导致晶圆局部区域的温度较高，这样会使得晶圆温度不均匀，从而影响成膜的质量。
技术实现思路
1、本申请实施例提供...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺腔室(100)，其特征在于，包括：腔体(110)、屏蔽件(120)、挡环(130)、压环组件(140)和支撑组件(150)；
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室(100)，其特征在于，所述压环组件(140)包括压环(141)和支撑环(142)；所述支撑环(142)承载于所述屏蔽件(120)，所述压环(141)承载于所述支撑环(142)，所述压环(141)沿竖直方向在所述挡环(130)上的投影位于所述屏蔽件(120)沿竖直方向在所述挡环(130)上的投影内；
3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室(100)，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室(100)，其特征在于，包括：腔体(110)、屏蔽件(120)、挡环(130)、压环组件(140)和支撑组件(150)；
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室(100)，其特征在于，所述压环组件(140)包括压环(141)和支撑环(142)；所述支撑环(142)承载于所述屏蔽件(120)，所述压环(141)承载于所述支撑环(142)，所述压环(141)沿竖直方向在所述挡环(130)上的投影位于所述屏蔽件(120)沿竖直方向在所述挡环(130)上的投影内；
3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室(100)，其特征在于，所述屏蔽件(120)包括依次连接的第一主体部(121)、第一弯折部(122)和第二弯折部(123)；所述第一主体部(121)与所述第二弯折部(123)间隔分布，所述第二弯折部(123)套设于所述第一主体部(121)内，所述第一主体部(121)和所述第二弯折部(123)均相对所述第一弯折部(122)朝上凸伸；
4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室(100)，其特征在于，所述支撑环(142)包括相连接的第三主体部(1421)和外周部(1422)，所述外周部(1422)设于所述第三主体部(1421)外周，所述外周部(1422)在竖直方向上夹于所述第二弯折部(123)和所述第二主体部(131)之间，所述外周部(1422)承载于所述第二弯折部(123)，所述压环(141)承载于所述第三主体部(1421)。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室(100)，其特征在于，所述支撑环(142)还包括与所述第三主体部(1421)连接的凸起部(1423)，所述凸起部(1423)相对所述第三主体部(1421)朝下凸伸，所述凸起部(1423)套设于所述第二弯折部(123)内，所述第三弯折部(132)设有沿其自身的厚度方向贯穿所述第三弯折部(132)的气孔(1321)。
6.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室(100)，其特征在于，所述第二主体部(131)设有朝所述压环组件(140)凸伸的第一凸环(133)，所述第一凸环(133)沿所述挡环(130)的轴线环绕；和/或，所述压环(141)设有朝向所述第二主体部(131)凸伸的第二凸环(1411)，所述第二凸环(1411)沿所述压环(141)的轴线环绕。
7.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室(100)，其特征在于，所述支撑组件(150)包括基座(151)和定位环(152)，所述基座(151)设有承载区(1511)，所述定位环(152)套设于所述承载区(1511)外，所述定位环(152)的朝上的一侧设有第一定位柱(1521)，所述支撑环(142)设有与所述第一定位柱(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱超，罗建恒，杨依龙，赵康宁，康广杰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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