【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开一般涉及利用电流模式端到端信号路径的集成射频脉冲发生器系统。
技术介绍
1、量子计算通常是使用量子力学现象来执行计算和信息处理功能。量子计算可以被看作与经典计算相反，经典计算通常利用晶体管对二进制值进行操作。也就是说，虽然经典计算机可以对为0或1的位值进行操作，但是量子计算机对包括0和1两者的叠加的量子位(量子位)进行操作。量子计算具有解决由于计算复杂性而不能或只能在经典计算机上缓慢解决的问题的潜力。
技术实现思路
1、以下给出了
技术实现思路
以提供对本专利技术的一个或多个实施例的基本理解。本
技术实现思路
不旨在标识关键或重要元素、描绘特定实施例的范围或权利要求的范围。其唯一目的是以简化形式呈现概念，作为稍后呈现的具体实施方式的序言。在本文描述的一个或多个实施例中，系统、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品包括和/或提供集成射频脉冲发生器系统，并且更具体地，利用电流模式端到端信号路径来降低功耗并增强信号链中的数模转换器(dac)与后续级之间的线性度。可以实现关于功耗和失真的一组有利的折衷。
2、根据实施例，一种装置可以包括限定电流模式信号路径的数模转换器、基带滤波器和输出级，其中数模转换器和输出级各自包括相同类型的开关晶体管。
3、上述装置的优点可为能够将低电压电源用于产生控制开关晶体管的开关的信号的电路，尤其是在dac及上变频混频器两者均采用pmos开关晶体管的情况下。也就是说，与在dac或上变频混频器中使用n型金属氧化物半导体(nmos)开关晶体
4、根据另一个实施例，一种方法可以包括由操作性地连接到一个量子处理器上的射频(rf)脉冲发生器输出射频输出信号，其中该rf脉冲发生器包括限定电流模式信号路径的数模转换器、基带滤波器以及输出级，其中该数模转换器以及该输出级各自包括相同类型的开关晶体管。
5、上述方法的优点可以是能够将低压电源用于产生控制开关晶体管的开关的信号的电路，尤其是如果dac和上变频混频器两者都采用pmos开关晶体管。也就是说，与在dac或上变频混频器中使用n型金属氧化物半导体(nmos)开关晶体管的情况相比，可花费较少的功率来操作装置。
6、根据又一实施方式，一种系统可以包括量子控制器和由该量子控制器控制的射频(rf)脉冲发生器，其中，该rf脉冲发生器包括限定电流模式信号路径的数模转换器、基带滤波器和输出级，其中，该输出级包括产生射频输出信号的上变频混频器，并且其中，该数模转换器和该上变频混频器各自包括p型金属氧化物半导体(pmos)开关晶体管。
7、上述系统的优点可以是能够将低压电源用于产生控制开关晶体管的开关的信号的电路，尤其是如果dac和上变频混频器两者都采用pmos开关晶体管。也就是说，与在dac或上变频混频器中使用n型金属氧化物半导体(nmos)开关晶体管的情况相比，可花费较少的功率来操作装置。
8、在上述装置、系统和/或方法的一个或多个实施例中，电流减法器可被实现为布置在电流模式信号路径中的电流源和二极管连接的晶体管的并联组合。二极管连接的晶体管可直接连接到输出级，而不存在连接在二极管连接的晶体管与输出级之间的换向电流镜。电流模式信号路径可以在输出级处提供比在基带滤波器处更低的静态与动态电流比。
9、上述装置、系统和/或方法的优点可以是与在基带滤波器处采用的静态偏置与信号电流比相比，在输出级处采用较低的静态偏置与信号电流比的能力。上述装置、系统和/或方法的另一优点可以是通过对二极管连接的晶体管的有效宽度进行编程来调整电流模式信号路径的增益的能力，使得增益可在宽范围内变化和/或以高分辨率变化。与此相关，相对于不采用耦合在基带滤波器和输出级之间的电流模式信号路径中的流源和二极管连接的晶体管的并联布置的rf脉冲发生器装置的一个或多个实施例，电流可以被重复使用，功率效率可以被提高，并且失真产物可以被减少。通过将二极管连接的晶体管直接连接到输出级，而不存在诸如连接在二极管连接的晶体管和输出级之间的换向电流镜的中间级，可以实现功率效率的进一步提高和失真产物的减少。
10、作为上述优点的结果，可以使用相对于操作量子系统的一个或多个量子位的更少的功率。降低的功耗可以允许量子系统的量子位的增加的缩放。此外，该装置和/或系统的部件可以在低温室内和/或相对于低温室使用，例如稀释制冷机。
11、在上述装置、系统和/或方法的一个或多个实施例中，电流源可以通过静态电流，并且二极管连接的晶体管可以通过静态电流和动态电流两者。相关的优点可以是，取决于所采用的电流源和二极管连接的晶体管的一个或多个参数和/或规格，能够改变相应装置和/或系统的输入和输出之间的静态偏置与信号电流比。这个优点可以在不存在连接在二极管连接的晶体管和输出级之间的换向电流镜的情况下实现。
12、本文描述的一个或多个创新、框架、系统、装置和/或方法可以另外地和/或替代地描述如下：
13、一种装置可以包括限定电流模式信号路径的数模转换器、基带滤波器和输出级，其中数模转换器和输出级各自包括相同类型的开关晶体管。
14、根据该装置，相同类型的晶体管可以是p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管。
15、根据本节的任何先前段落的装置，输出级可以包括生成射频输出信号的上变频混频器，并且可选地，上变频混频器可以具有两个或更多个开关晶体管，这些开关晶体管是与数模转换器的开关晶体管相同类型的开关晶体管。
16、根据本节的任何先前段落的装置，数模转换器和输出级的开关晶体管可以使用轨到轨波形操作。
17、根据本节的任何先前段落的装置，与使用n型金属氧化物半导体(nmos)型的开关晶体管相比，数模转换器及可选地输出级的开关晶体管可从降低的电源电压操作。
18、根据本节的任何先前段落的装置，电流模式信号路径使得在输出级处的静态与动态电流比低于在基带滤波器处的静态与动态电流比。
19、本节的任何先前段落的装置还可以包括电流减法器，其被实现为布置在电流模式信号路径中的电流源和二极管连接的晶体管的并联组合。
20、根据本节的任何先前段落的装置，二极管连接的晶体管可以直接连接到输出级，而不存在连接在二极管连接的晶体管和输出级之间的换向电流镜。
21、根据本节的任何先前段落的装置，电流源可通过静态电流，且二极管连接的晶体管可通过静态电流和动态电流两者。
22、根据本节的任何先前段落的装置，电流可编程以调谐在二极管连接的晶体管处且可选地在输出级处的静态与动态电流比。
23、一种方法可以包括由操作性地耦合到量子处理器上的射频(rf)脉冲发生器来输出射频输出信号，其中该rf脉冲发生器可以包括限定一个电流模式信号路径的数模转换器、基带滤波器以及输出级，其中该数模转换器以及该输出级各自包括相同类型的开关晶体管。
24、根据该方法，相同类型的开关晶体管可以是p型金属氧化物半导体(p本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述相同类型的晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述输出级包括上变频混频器，所述上变频混频器产生射频输出信号，并且其中，所述上变频混频器具有两个或更多个开关晶体管，所述两个或更多个开关晶体管是与所述数模转换器的开关晶体管相同类型的开关晶体管。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述数模转换器的开关晶体管和所述输出级的开关晶体管使用轨对轨波形操作。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，与使用n型金属氧化物半导体(NMOS)类型的开关晶体管相比，所述数模转换器的开关晶体管和所述输出级的开关晶体管从降低的电源电压操作。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电流模式信号路径使得在所述输出级处的静态与动态电流比低于在所述基带滤波器处的静态与动态电流比。
7.根据权利要求6所述的装置，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述二极管连接的晶体管直接连接到所述输出级，而不存在连接在所述
9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述电流源传递静态电流，并且所述二极管连接的晶体管传递静态电流及动态电流两者。
10.根据权利要求7所述的装置，其中，所述电流源可编程以调谐在所述二极管连接的晶体管处和所述输出级处的静态与动态电流比。
11.一种方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述相同类型的开关晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，并且其中，所述输出级的上变频混频器包括所述输出级的所述开关晶体管中的两个或更多个开关晶体管。
13.根据权利要求11所述的方法，还包括：
14.根据权利要求11所述的方法，还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
16.根据权利要求11所述的方法，还包括：
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述RF脉冲发生器还包括并联布置在所述电流模式信号路径中的电流源和二极管连接的晶体管，以及
18.根据权利要求11所述的方法，还包括：
19.一种系统，包括：
20.根据权利要求19所述的系统，还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述相同类型的晶体管是p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述输出级包括上变频混频器，所述上变频混频器产生射频输出信号，并且其中，所述上变频混频器具有两个或更多个开关晶体管，所述两个或更多个开关晶体管是与所述数模转换器的开关晶体管相同类型的开关晶体管。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述数模转换器的开关晶体管和所述输出级的开关晶体管使用轨对轨波形操作。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，与使用n型金属氧化物半导体(nmos)类型的开关晶体管相比，所述数模转换器的开关晶体管和所述输出级的开关晶体管从降低的电源电压操作。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电流模式信号路径使得在所述输出级处的静态与动态电流比低于在所述基带滤波器处的静态与动态电流比。
7.根据权利要求6所述的装置，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述二极管连接的晶体管直接连接到所述输出级，而不存在连接在所述二极管连接的晶体管与所述输出级之间的换向...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·查克拉博蒂，J·布尔扎切利，D·弗兰克，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。