【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机化学，尤其是指一种氟代烷基官能化的降冰片类含氟材料的合成方法。
技术介绍
1、在集成电路原件的微加工领域中，为了提高集成度，通常需要以0.2 μm或更小的线宽进行光刻技术的微加工。常规的光刻方法使用的近紫外线在加工线宽为0.25 μm已经十分困难。因此，光刻领域已经开发出了用于加工线宽小于0.2 μm的短波长的紫外线，例如深紫外线、x射线、电子束等，其中krf（248 nm），arf（193 nm），euv（13 nm）格外引人关注。目前，已经开发出多种可以适应更短波长的紫外线的感光树脂聚合物，例如，羧酸或苯酚修饰的叔丁脂光酸产生剂、全氟烷基磺酰结构的光酸产生剂等。但上述光酸有掩模依赖性导致的图形分辨率不足或生物积累性等不可改变的缺点，其在应用中受到较大阻碍。
2、作为较新型的光酸产生剂，降冰片类光酸表现出对深紫外线的高度透明，同时没有生物积累性，光致酸的酸性高、沸点高、在抗蚀剂图层中表现出适度的扩散长度和对掩模图形密度的低依赖性，降冰片类的光酸有着很大的应用空间。
3、四氟溴乙基官能化的降冰片...
【技术保护点】
1.一种氟代烷基官能化的降冰片类含氟材料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述引发剂选自连二亚硫酸钠。
3.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述降冰片烯类化合物选自降冰片二烯或降冰片单烯。
4.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述降冰片烯类化合物与全氟卤代烷基化合物的摩尔比为1:2~2:1。
5.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述还原剂选自水合肼。
6.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述有机溶剂选自四氢呋喃、乙腈和...
【技术特征摘要】
1.一种氟代烷基官能化的降冰片类含氟材料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述引发剂选自连二亚硫酸钠。
3.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述降冰片烯类化合物选自降冰片二烯或降冰片单烯。
4.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述降冰片烯类化合物与全氟卤代烷基化合物的摩尔比为1:2~2:1。
5.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述还原剂选自水合肼。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴浩然，
申请(专利权)人：苏州源起材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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