光学设备制造技术

披露一种用于光刻设备的掩模版平台的光学设备。所述光学设备包括：反射型光学元件，所述反射型光学元件包括用于曝光至辐射的表面；至少两个电极，所述至少两个电极位于所述表面处；以及测量系统，所述测量系统被配置成测量所述反射型光学元件在所述至少两个电极之间的一个或更多个电特性。也披露一种测量光刻设备中的具有用于曝光至辐射的表面的反射型光学元件的劣化的方法，所述方法包括：在所述反射型光学元件的所述表面处设置至少两个电极；和测量所述反射型光学元件在所述至少两个电极之间的一个或更多个电特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种光学设备，和一种用于测量光刻设备中的具有用于曝光至辐射的表面的反射型光学元件的劣化的方法。

技术介绍

1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以(例如)将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有介于4nm至20nm范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

3、在使用中，所述图案形成装置的操作可以由于例如被沉积于所述图案形成装置的表面上的残渣的积聚随时间变得劣化。

4、在一些示例中，在本领域中通常称为“基准件”的光学元件可以被设置成相对紧邻于所述图案形成装置。类似于所述图案形成装置，基准件的操作也可以随时间变得劣化。

5、所述光学元件可以被用于朝向本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于光刻设备的掩模版平台的光学设备，所述光学设备包括：

2.根据任一前述权利要求所述的光学设备，其中，所述一个或更多个电特性包括以下各项中的至少一种：电容；电阻；电感；和/或频率响应。

3.根据权利要求1或2所述的光学设备，其中，所述反射型光学元件包括多个层，并且所述至少两个电极延伸穿过所述多个层。

4.根据权利要求3所述的光学设备，其中，所述反射型光学元件被配置成用于反射极紫外(EUV)辐射的分布式布拉格反射器。

5.根据权利要求3或4所述的光学设备，包括被形成在所述反射型光学元件的每个层上的至少一个电极，并且其中，所述测量系统被...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于光刻设备的掩模版平台的光学设备，所述光学设备包括：

2.根据任一前述权利要求所述的光学设备，其中，所述一个或更多个电特性包括以下各项中的至少一种：电容；电阻；电感；和/或频率响应。

3.根据权利要求1或2所述的光学设备，其中，所述反射型光学元件包括多个层，并且所述至少两个电极延伸穿过所述多个层。

4.根据权利要求3所述的光学设备，其中，所述反射型光学元件被配置成用于反射极紫外(euv)辐射的分布式布拉格反射器。

5.根据权利要求3或4所述的光学设备，包括被形成在所述反射型光学元件的每个层上的至少一个电极，并且其中，所述测量系统被配置成测量所述反射型光学元件的每个层的一个或更多个电特性。

6.根据任一前述权利要求所述的光学设备，其中，所述测量系统被配置成执行在不同时间所采取的对于所述反射型光学元件的所述一个或更多个电特性的多次测量，以识别所述反射型光学元件的反射率的劣化。

7.根据任一前述权利要求所述的光学设备，包括多于两个电极，其中，所述测量系统被配置成测量所述反射型光学元件在所述多个电极中的多对电极之间的所述一个或更多个电特性。

8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·德蒙西，J·德布鲁杰克尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：