一种耐高温光固化硅基离型剂及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种耐高温光固化硅基离型剂及其制备方法，属于有机硅离型剂技术领域。本发明专利技术将羟丙基双封端甲基硅油、甲苯二异氰酸酯、全氟化合物、催化剂混合后通入惰性气体在60‑70℃下反应1‑2h后加入改性蓖麻油后静置保温2‑3h；待保温结束后，加入抑制剂、丙烯酸酯、聚醚改性聚二甲基硅氧烷在55‑65℃下反应2.5‑3.5h得到耐高温光固化硅基离型剂初料；将所述耐高温光固化硅基离型剂初料、溶剂、光引发剂混合后得到耐高温光固化硅基离型剂。统的氟硅离型剂虽然在一定程度上消除了硅迁移现象但是当在较高的温度下(150℃以上)其硅迁移率明显升高，本发明专利技术所得的离型剂在180℃下24h仍然具有较高的离型力和残余粘着率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机硅离型剂，具体涉及一种耐高温光固化硅基离型剂及其制备方法。

技术介绍

1、离型膜，也称为剥离膜、隔离膜、分离膜、保护膜，是在底膜(包含pet膜、pe膜、纸张、pvc膜等)上涂覆离型剂而使其表面具有分离性，离型膜具有广泛的用途。

2、由于离型剂本身特殊的分子结构赋予了其较低的表面自由能，因此压敏胶、污染物等表面能较高的物质很难在其表面形成牢固的锚固和附着，在较低的剥离力作用下即可快速剥离，且剥离过程不会对被保护的基材产生损伤。

3、离型剂主要分为含硅离型剂、非硅离型剂以及含氟离型剂。有机硅类的离型剂成本较低，可适用于大部分场合，但存在硅迁移的问题。目前通过采用含氟离型剂来降低硅迁移率，但是仍然存在着在较高温度下硅迁移率高，对基材的附着力不足，使用大量溶剂成本较高的问题。

4、因此，亟需一种耐高温低硅迁移率成本低的离型膜。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术目的在于提供一种耐高温光固化硅基离型剂及其制备方法，本专利技术所得的离型剂在180℃下24h仍然具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐高温光固化硅基离型剂，其特征在于，包括以下重量份的原料：

2.根据权利要求1所述的耐高温光固化硅基离型剂，其特征在于，所述羟丙基双封端甲基硅油的分子结构为：

3.根据权利要求1所述的耐高温光固化硅基离型剂，其特征在于，所述改性蓖麻油为将蓖麻油与苯甲酸酐按照1：1.5的重量比混合后加入催化剂在110-130℃下反应制得。

4.根据权利要求1所述的耐高温光固化硅基离型剂，其特征在于，所述全氟化合物为全氟己烷磺酰氟、全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰氟、全氟丁基磺酰氟。

5.根据权利要求1所述的耐高温光固化硅基离型剂，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种耐高温光固化硅基离型剂，其特征在于，包括以下重量份的原料：

2.根据权利要求1所述的耐高温光固化硅基离型剂，其特征在于，所述羟丙基双封端甲基硅油的分子结构为：

3.根据权利要求1所述的耐高温光固化硅基离型剂，其特征在于，所述改性蓖麻油为将蓖麻油与苯甲酸酐按照1：1.5的重量比混合后加入催化剂在110-130℃下反应制得。

4.根据权利要求1所述的耐高温光固化硅基离型剂，其特征在于，所述全氟化合物为全氟己烷磺酰氟、全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰氟、全氟丁基磺酰氟。

5.根据权利要求1所述的耐高温光固...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛小强，朱华荣，孙佳悦，
申请(专利权)人：苏州帝联庆新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：