一种OLED结构制造技术

本发明专利技术属于有机发光二极管技术领域，具体涉及一种OLED结构。本发明专利技术提供一种OLED结构，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；所述主体材料包括n型半导体材料和p型半导体材料组成的混合材料或双极性单体材料。本发明专利技术通过调控发光层的主体材料，能够减少发光层主体和HTL&ETL因极性不同导致的电荷积累，减少载流子在发光层界面处的积累，进而可有效的改善电压漂移，极大幅度的改善了产品的残影。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机发光二极管，具体涉及一种oled结构。

技术介绍

1、在有机发光二极管中，空穴注入层hil、空穴传输层htl为偏空穴型材料，极性一致，因此载流子在其界面的积累很少，故由载流子积累产生的焦耳热导致电压漂移很小，可忽略不计。同样，电子注入层eil、电子传输层etl为偏电子型材料，极性一致，载流子在其界面的积累同样很少，故由载流子积累产生的焦耳热导致电压漂移亦可忽略不计。

2、但是，由于发光层eml主体的极性同htl&etl的极性不同，容易导致器件在点亮的过程中电压发生漂移，进而导致器件产生残影。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种oled结构，本专利技术提供的oled结构能够有效的降低器件的电压漂移，进而有效的避免了器件产生残影。

2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：

3、本专利技术提供了一种oled结构，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述发光层的材料包括主体材料和客体材本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种OLED结构，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；

2.根据权利要求1所述的OLED结构，其特征在于，所述双极性单体材料包括4,4'-二(9-咔唑)联苯。

3.根据权利要求1所述的OLED结构，其特征在于，所述n型半导体材料包括二硝酰胺铵，所述p型半导体材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；

4.根据权利要求1所述的OLED结构，其特征在于，所述客体材料包括4,4'-二(2,2'-二苯乙烯基]-1,1'-联苯或4,4'-双(9-乙基...

【技术特征摘要】

1.一种oled结构，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；

2.根据权利要求1所述的oled结构，其特征在于，所述双极性单体材料包括4,4'-二(9-咔唑)联苯。

3.根据权利要求1所述的oled结构，其特征在于，所述n型半导体材料包括二硝酰胺铵，所述p型半导体材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；

4.根据权利要求1所述的oled结构，其特征在于，所述客体材料包括4,4'-二(2,2'-二苯乙烯基]-1,1'-联苯或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯；所述客体材料在主体材料中的掺杂浓度为1～5％。

5.根据权利要求1所述的oled结构，其特征在于，所述发光层的厚度为

6.根据权利要求1所述的oled结构，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺或4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]；所述空穴传输层的厚度为

7.根据权利要求1所述的oled结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张川，吴远武，吴迪，王江南，
申请(专利权)人：湖畔光芯半导体江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：