一种复合型的静电与浪涌保护电路制造技术

本发明专利技术涉及静电和浪涌保护技术领域，公开了一种复合型的静电与浪涌保护电路，包括检测端PAD、静电保护单元、负载电阻R1、浪涌保护单元和开关单元；在实际使用时，本发明专利技术电路同时实现了浪涌保护和静电保护，实现了电路复用；另外通过浪涌保护单元对检测端PAD的电压进行判断并通过开关单元提供浪涌电流泄放路径以及通过静电保护单元提供静电电流泄放路径，而不是采用TVS二极管进行浪涌保护或者具有浪涌保护功能的IC，占用面积小，利于将电路片内集成到芯片中，能满足集成电路的制作需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电和浪涌保护，具体涉及一种复合型的静电与浪涌保护电路。

技术介绍

1、随着半导体工艺尺寸的缩小，电路的集成规模在不断扩大，集成电路性能也在不断提高。但是，工艺尺寸的缩小相对应的带来了诸多问题，其中最主要的就是电路可靠性问题、制作工艺波动问题以及使用功耗问题。

2、对于电路的可靠性问题，静电放电(electrostatic discharge，esd)和浪涌引起的过压过流 (electrical over stress，eos)是导致电子产品及集成电路失效的主要原因。

3、其中静电放电与电路浪涌是电子产品中常见的一种物理现象；

4、静电放电(esd)是指携带不同数量静电电荷的物体之间通过直接或间接接触产生的电荷转移造成的瞬时高压或大电流放电，其脉冲宽度大约在ns级。

5、浪涌一般指在电子系统的电源接通瞬间或出现其他异常情况时产生的远大于正常电路工作电压电流的峰值电压或电流，其脉冲宽度大约在us级。浪涌的能量远大于静电放电，因而需要保护电路具有更加出色的泄流能力。

6、目前常规esd保本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合型的静电与浪涌保护电路，其特征在于，包括检测端PAD、静电保护单元、负载电阻R1、浪涌保护单元和开关单元；

2.根据权利要求1所述的一种复合型的静电与浪涌保护电路，其特征在于，还包括过流保护单元，所述过流保护单元与所述开关单元电连接，基于从所述开关单元的输出端流出的电流负反馈的调节所述开关单元的控制端的电压。

3.根据权利要求2所述的一种复合型的静电与浪涌保护电路，其特征在于，所述开关单元包括MOS管N1，所述MOS管N1的漏极与所述检测端PAD电连接；所述MOS管N1的源极用于接地，所述MOS管N1的栅极与所述负载电阻R1一端电连接。

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【技术特征摘要】

1.一种复合型的静电与浪涌保护电路，其特征在于，包括检测端pad、静电保护单元、负载电阻r1、浪涌保护单元和开关单元；

2.根据权利要求1所述的一种复合型的静电与浪涌保护电路，其特征在于，还包括过流保护单元，所述过流保护单元与所述开关单元电连接，基于从所述开关单元的输出端流出的电流负反馈的调节所述开关单元的控制端的电压。

3.根据权利要求2所述的一种复合型的静电与浪涌保护电路，其特征在于，所述开关单元包括mos管n1，所述mos管n1的漏极与所述检测端pad电连接；所述mos管n1的源极用于接地，所述mos管n1的栅极与所述负载电阻r1一端电连接。

4.根据权利要求3所述的一种复合型的静电与浪涌保护电路，其特征在于，所述mos管n1的漏极通过电阻r5与所述检测端pad电连接。

5.根据权利要求4所述的一种复合型的静电与浪涌保护电路，其特征在于，所述过流保护单元包括电阻r2和三极管q1，mos管n1的源极通过电阻r2接地，且与三极管q1的基极电连接，三极管q1的发射极接地，三极管q1的集电极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：来鹏飞，陈峰，黄坚，宗佳佳，
申请(专利权)人：无锡中微爱芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：