一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法技术

本申请实施例涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法，该半导体激光器包括：激光器VCSEL阵列以及位于激光器VCSEL阵列上方的中间层和上盖层；激光器VCSEL阵列包括间隔排列的液晶取向下层；中间层包括液晶层和间隔层，间隔层在所述激光器VCSEL阵列的边缘形成一圈墙面结构，液晶层位于所述墙面结构内；上盖层为具有图案化ITO电极玻璃盖层；上盖层包括间隔排列的液晶取向上层和ITO梳状电极；激光器VCSEL阵列通过间隔层与上盖层连接。本申请提供的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列的液晶层与VCSEL阵列无需共用同一电极，减少相互的电子串扰，增加可靠性，结合液晶的双折射率特性实现激射稳定的正交偏振光。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体激光器，特别涉及一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，vcsel)有着比边发射激光器更优越的特性，比如非常低的阈值电流，圆形输出光斑，较小的发散角，易于二维面阵集成等。随着智能信息世界的持续发展，vcsel在消费电子方面的作用日益凸显。它被广泛应用于智能手机人脸识别、无人机避障、虚拟/增强现实技术、扫地机器人以及家用摄像头等领域。智能手机和消费电子产品应用中进一步小型化的需求日益增加，简化系统设计和制造过程，降低成本和复杂度让器件变得更有优势。

2、单个激光器可同时发射正交偏振光是泛光照明与点阵投影的集成的最好实现方式，目前表面光栅控制vcsel偏振态的方法难点在于：纳米级别的亚波长光栅制作困难，需要电子束曝光或者纳米压印技术，成本高。且受到亚波长光栅方向限制，无法灵活更改单元偏振光偏振方向，功率损耗大，效率低。液晶调谐vcsel阵列偏振态更加灵活，通过电压调控液晶，可以灵活出射两种正交的偏振态，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，所述上盖层还包括：玻璃基板和用于压焊液晶调谐导线的金属层；

3.根据权利要求1所述的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，所述间隔层的高度为6微米。

4.根据权利要求1所述的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，所述激光器VCSEL阵列包括n面电极以及依次叠设在所述n面电极上的衬底、n型DBR和有源层；

5.根据权利要求4所述的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，所述钝化层覆...

【技术特征摘要】

1.一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，所述上盖层还包括：玻璃基板和用于压焊液晶调谐导线的金属层；

3.根据权利要求1所述的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，所述间隔层的高度为6微米。

4.根据权利要求1所述的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，所述激光器vcsel阵列包括n面电极以及依次叠设在所述n面电极上的衬底、n型dbr和有源层；

5.根据权利要求4所述的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，所述钝化层覆盖所述圆台结构的侧面和部分顶面；

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：石琳琳，代昱成，邹永刚，范杰，付曦瑶，李岩，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：