本发明专利技术提供了一种气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，该方法以二水合钨酸钠、甘氨酸和浓盐酸为原料通过水热法制备中间产物WO<subgt;3</subgt;；然后以中间产物WO<subgt;3</subgt;为前驱体，通过气固相反应法对前驱体进行原位硫化，制得雪花状二硫化钨纳米材料。雪花状二硫化钨纳米材料呈现为雪花状结构，雪花状结构中的二硫化钨薄片的成长度为2～8μm，厚度小于100nm。本发明专利技术的制备方法制得的雪花状WS<subgt;2</subgt;纳米材料具有WS<subgt;2</subgt;片层平行堆叠的形貌，因而具有较大的比表面积和更多的活性位点。本发明专利技术基于WO<subgt;3</subgt;前驱体的固有形貌，以雪花状WO<subgt;3</subgt;为前驱体，利用含硫气氛对金属氧化物的原位硫化反应，制备了雪花状WS<subgt;2</subgt;纳米材料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料制备，涉及过渡金属二硫化物，具体涉及一种气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法。
技术介绍
1、ws2(二硫化钨)是一种过渡金属二硫化物，具有类似于石墨的六方晶系层状结构，层内w-s通过共价键相连接，结合稳固，具有良好的机械强度和载流子迁移能力；层间以范德华力相连接，能够在沿平面方向受力的情况下发生滑移。基于以上结构特性，ws2具有良好的摩擦学性能、电荷传输性能等特点。同时，经过改性的ws2具有比表面积大、吸附能力强、反应活性高等特点，在环境催化与能源转换等领域具有巨大的应用前景。
2、然而，常见的ws2合成通常采用气相沉积法、水热合成法或溶剂热法制备。气相沉积法合成条件具有反应温度高、产率低、成本较高等缺点(acs applied nano materials,2019,2(9):5604-5613)；水热或溶剂热法反应温度相对较低、产率较高，但在高温高压环境下的硫化反应过程不易控制、缺少良好的形貌控制策略，同时材料因易团聚等缺陷而具有较小的比表面积和较少的活性位点，限制了其在催化和能源转换等领域的应用前景(mater本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，其特征在于，该方法以二水合钨酸钠、甘氨酸和浓盐酸为原料通过水热法制备中间产物WO3；然后以中间产物WO3为前驱体，通过气固相反应法对前驱体进行原位硫化，制得雪花状二硫化钨纳米材料。
2.如权利要求1所述的气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，其特征在于，所述的雪花状二硫化钨纳米材料呈现为雪花状结构，所述的雪花状结构中的二硫化钨薄片的成长度为2～8μm，厚度小于100nm。
3.如权利要求1所述的气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
>4.如权利要求3所...
【技术特征摘要】
1.一种气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，其特征在于，该方法以二水合钨酸钠、甘氨酸和浓盐酸为原料通过水热法制备中间产物wo3；然后以中间产物wo3为前驱体，通过气固相反应法对前驱体进行原位硫化，制得雪花状二硫化钨纳米材料。
2.如权利要求1所述的气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，其特征在于，所述的雪花状二硫化钨纳米材料呈现为雪花状结构，所述的雪花状结构中的二硫化钨薄片的成长度为2～8μm，厚度小于100nm。
3.如权利要求1所述的气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，其特征在于，步骤1中，所述的二水合钨酸钠和甘氨酸的质量比为230.9mg:300mg；步骤1中，所述的浓盐酸的浓度为36wt％～38wt％。
5.如权利要求3所述的气固相反应法制备雪花状二硫化钨纳米材料的方法，其特征在于，步骤1中，所述的磁力搅拌的速度为300～500rpm，剧烈搅拌的搅拌速度为750～1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钧卓，罗一鸣，王红星，巨荣辉，蒋秋黎，王玮，蒙君煚，张蒙蒙，李秉擘，李冲，
申请(专利权)人：西安近代化学研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。