【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、例如，专利文献1中公开有一种半导体装置，包含：半导体层；及绝缘栅极型的多个晶体管，以被个别地输入电独立的多个控制信号的方式电独立地形成在半导体层，且以有源钳位动作时的接通电阻与正常动作时的接通电阻不同的方式个别地进行接通/断开控制。
2、[
技术介绍
文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利特开2022-97649号公报
技术实现思路
1、[专利技术要解决的问题]
2、本专利技术的一实施方式提供一种既能抑制耐压降低，又能高精度地监视电流的半导体装置。
3、[解决问题的技术手段]
4、本专利技术的一实施方式的半导体装置包含：半导体芯片，具有划分有第1器件区域的第1主面；第1导电型的第1半导体区域，形成在所述第1器件区域的表层部；第2导电型的主体区域，形成在所述第1半导体区域的表层部；多个沟槽栅极结构，形成为贯通所述主体区域并到达所述第1半导体区域，且沿着第1方向延伸；...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其包含：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其包含：主源极配线层，形成在所述层间绝缘层内，且连接于所述主要主体区域；及监控源极配线层，连接于所述监控主体区域；
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述第1栅极结构横穿所述监控主体区域及所述主要主体区域的至少一者与所述隔离部的边界部，也进一步形成在所述边界部的附近，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第1栅极结构的所述上电极在所述第1方向上，随着从所述监控主体区域及所述主要主体区域的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其包含：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其包含：主源极配线层，形成在所述层间绝缘层内，且连接于所述主要主体区域；及监控源极配线层，连接于所述监控主体区域；
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述第1栅极结构横穿所述监控主体区域及所述主要主体区域的至少一者与所述隔离部的边界部，也进一步形成在所述边界部的附近，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第1栅极结构的所述上电极在所述第1方向上，随着从所述监控主体区域及所述主要主体区域的至少一者朝向所述隔离部而连续地变薄。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中所述第1栅极结构包含形成在所述上电极与所述主体区域之间的上绝缘膜、及形成在所述下电极与所述第1半导体区域之间的下绝缘膜，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述内壁绝缘膜中被覆所述栅极沟槽的侧壁上部的部分的厚度超过被覆所述栅极沟槽的底壁的部分的厚度。
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其包含场绝缘膜，所述场绝缘膜形成在所述第1主面，选择性地被覆所述一对隔离部。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述场绝缘膜及所述内壁绝缘膜形成一体的耐压绝...
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