【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及集成电路，具体地，涉及应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路。
技术介绍
1、模数转换器(adc，analog to digital converter)是将模拟信号转换为数字信号的电路结构，adc的种类很多，包括积分型、逐次逼近寄存器型(sar)、流水型等。其中，saradc由于其高性能、低功耗的优势被广泛应用。
2、现有技术中sar adc为全电容阵列式的结构，但是由于随着转换位数的增多需要的电容数量越多，存在面积大的问题。另外，其中全电容阵列式的sar adc又可以分为全差分结构和单端结构，全差分结构适合差分采样信号，单端结构适合单端采样信号。而在实际的芯片应用中，需要采样的信号往往是单端的，全差分结构的sar adc不适用，但是单端结构的sar adc又存在较差的电源抑制比(power supply rejection ratio，psrr)，影响转换的精度。
3、综上，如何解决现有sar adc存在的面积大、转换精度低的问题是亟需解决的。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路，其特征在于，所述模数转换电路包括：数模转换模块、比较器、逐次逼近寄存器，
2.根据权利要求1所述的应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路，其特征在于，两个电容阵列为第一电容阵列和第二电容阵列，两个电阻阵列为第一电阻阵列和第二电阻阵列，
3.根据权利要求2所述的应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路，其特征在于，在模数转换电路的采样阶段，所述第一电容阵列和所述第二电容阵列的上极板都耦接接地端，所述第一电容阵列中所有位次的电容的下极板都耦接所述正向输入端，所述第二电容阵列中所有位次的...
【技术特征摘要】
1.一种应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路，其特征在于，所述模数转换电路包括：数模转换模块、比较器、逐次逼近寄存器，
2.根据权利要求1所述的应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路，其特征在于，两个电容阵列为第一电容阵列和第二电容阵列，两个电阻阵列为第一电阻阵列和第二电阻阵列，
3.根据权利要求2所述的应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路，其特征在于，在模数转换电路的采样阶段，所述第一电容阵列和所述第二电容阵列的上极板都耦接接地端，所述第一电容阵列中所有位次的电容的下极板都耦接所述正向输入端，所述第二电容阵列中所有位次的电容的下极板都耦接所述负向输入端。
4.根据权利要求3所述的应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路，其特征在于，在模数转换电路的保持阶段，所述第一电容阵列和所述第二电容阵列的上极板都与接地端断开，所述第一电容阵列中除最低位的电容之外其他的电容的下极板都耦接所述第一参考电压，所述第一电容阵列中最低位的电容的下极板通过所述第一电阻阵列耦接所述第一参考电压，所述第二电容阵列中最高位的电容的下极板耦接所述第二参考电压，所述第二电容阵列中除最高位和最低位的电容之外其它的电容的下极板都耦接所述第一参考电压，所述第二电容阵列中最低位的电容的下极板通过所述第二电阻阵列耦接所述第一参考电压。
5.根据权利要求4所述的应用于单端采样的逐次逼近寄存器型模数转换电路，其特征在于，在模数转换电路的转换阶段，第一次转换中，所述比较器对所述保持阶段得到的所述第一电容阵列的上极板的电压和所述第二电容阵列的上极板的电压进行比较，得到比较结果，再根据比较结果控制所述第一电容阵列...
【专利技术属性】
技术研发人员：乜博涵，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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