一种钙钛矿薄膜、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池上的应用技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，且公开了一种钙钛矿薄膜、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池上的应用。制备方法包括：将烯基双噻唑、N,N'‑双（丙烯酰）胱胺、N,N'‑亚甲基双丙烯酰胺、N‑氨乙基哌啶混合反应，得到超支化聚酰胺‑胺；将11‑(甲基丙烯酰氨基)十一酸、功能化聚六亚甲基盐酸胍、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸丁酯混合，得到改性丙烯酸酯单体；将超支化聚酰胺‑胺和改性丙烯酸酯单体加入钙钛矿前驱体溶液中，经旋涂、退火、加热反应，得到钙钛矿薄膜。该钙钛矿薄膜具有优异的光电性能和稳定性，可以用于钙钛矿太阳能电池器件中稳定使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种钙钛矿薄膜、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池上的应用。

技术介绍

1、钙钛矿材料是一种可调控的直接带隙半导体材料，相比晶硅这种间接带隙的半导体材料，具有光吸收系数高和载流子扩散距离大等优点。钙钛矿太阳能电池通常是指以abx3型钙钛矿材料作为吸光活性层的一类太阳能电池，abx3钙钛矿材料具有高吸光系数、直接且可调的带隙、长载流子扩散、原料来源丰富和成本低等多种性能优势，在太阳能电池领域拥有广阔的应用空间和潜力。

2、钙钛矿层作为钙钛矿太阳能电池的核心层，决定着太阳能电池的光电转换效率和稳定性。由于钙钛矿层的光学和电学性能与薄膜制备工艺及界面修饰技术密切相关，因此，研究和发展钙钛矿层的制备受到广泛关注。现有技术中基于溶液法制备的钙钛矿薄膜大多表现为多晶薄膜，其表面和晶界处富集晶体缺陷，在退火处理后会出现大量未配位的铅离子或铅团簇缺陷，这些缺陷影响了钙钛矿薄膜的光电性能和稳定性，不利于钙钛矿太阳能电池器件的长期稳定使用。

3、现有技术如中国专利申请cn110085747a公开了钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中制备超支化聚酰胺-胺时，S11中：2,2'-二氨基-4,4'-双噻唑、四氢呋喃、三乙胺、丙烯酰氯溶液的质量比为10:280-300:10.2-10.5:84-86，丙烯酰氯溶液为丙烯酰氯与四氢呋喃以质量比1:7混合溶解制备而成；滴加条件为：在0℃温度下20-30min；反应条件为：在氮气氛围中、-5-0℃温度下反应6-8h。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中制备超支化聚酰胺-胺时，S12中：烯...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中制备超支化聚酰胺-胺时，s11中：2,2'-二氨基-4,4'-双噻唑、四氢呋喃、三乙胺、丙烯酰氯溶液的质量比为10:280-300:10.2-10.5:84-86，丙烯酰氯溶液为丙烯酰氯与四氢呋喃以质量比1:7混合溶解制备而成；滴加条件为：在0℃温度下20-30min；反应条件为：在氮气氛围中、-5-0℃温度下反应6-8h。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中制备超支化聚酰胺-胺时，s12中：烯基双噻唑、n,n'-双（丙烯酰）胱胺、n,n'-亚甲基双丙烯酰胺、n-氨乙基哌啶、甲醇、水的质量比为30-32:26-28:28-30:25-26:320-350:110-130；反应条件为：在45-50℃温度下反应90-100h。

4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，改性丙烯酸酯单体的制备中：11-(甲基丙烯酰氨基)十一酸、功能化聚六亚甲基盐酸胍、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸丁酯的质量比为1:2:0.3-0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥飞，辛净，
申请(专利权)人：无锡众能光储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：