【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备，具体涉及一种点火装置、半导体工艺设备及工艺方法。
技术介绍
1、氧化工艺广泛应用于多种半导体器件的生产，根据器件结构和功能的不同，氧化膜的形成方式有所差异，主要分为干氧氧化、湿氧氧化和掺氯氧化三种基本类型，还包括涉及多种氧化工艺的组合工艺。
2、干氧氧化中仅涉及氧气通入，对点火装置的要求较低。湿氧氧化是利用氢气与氧气在点火装置中点火燃烧形成的水汽作为反应物，进入工艺腔室内与硅片反应生成氧化膜，该过程需要利用点火腔室实现燃烧。掺氯氧化是通过hcl(氯化氢)或dce(trans-1,2dichloroethylenes，反-1,2-二氯乙烯)作为氯源，与氧气一同进入工艺腔室反应，其中选用dce时需要利用点火腔室来实现分解，以生成所需的氯离子。
3、湿氧掺氯氧化作为一种组合工艺，可以减少生产中的金属污染，提升器件性能。具体是氧气与dce使用同一根管路，氢气使用另一根管路，dce分解与氢氧点火在点火腔室内同时进行。
4、现有的点火装置，在一些需要通入多种气体的工艺(例如湿氧掺氯氧化)...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备的点火装置，其特征在于，包括至少两个点火腔室和汇合管道；
2.根据权利要求1所述的点火装置，其特征在于，所有所述腔室本体的容积各不相同。
3.根据权利要求2所述的点火装置，其特征在于，所述至少两个点火腔室包括第一点火腔室和第二点火腔室，所述第一点火腔室的容积小于所述第二点火腔室的容积；
4.根据权利要求3所述的点火装置，其特征在于，所述过渡管外侧设置有加热保温件，用于防止所述过渡管内的水汽冷凝。
5.根据权利要求1所述的点火装置，其特征在于，每个所述点火腔室包括两个所述进气管道，两个所述进气管道同轴...
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的点火装置，其特征在于，包括至少两个点火腔室和汇合管道；
2.根据权利要求1所述的点火装置，其特征在于，所有所述腔室本体的容积各不相同。
3.根据权利要求2所述的点火装置，其特征在于，所述至少两个点火腔室包括第一点火腔室和第二点火腔室，所述第一点火腔室的容积小于所述第二点火腔室的容积；
4.根据权利要求3所述的点火装置，其特征在于，所述过渡管外侧设置有加热保温件，用于防止所述过渡管内的水汽冷凝。
5.根据权利要求1所述的点火装置，其特征在于，每个所述点火腔室包括两个所述进气管道，两个所述进气管道同轴嵌套设置，分别为内进气管道和外进气管道；
6.根据权利要求1-5任一项所述的点火装置，其特征在于，每个所述点火腔室中，所述进气管道和所述出气管道分别设置在所述腔室本体的相对两侧；
7.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和如权利要求1-6任一项所述的点火装置，所述汇合管道的另一端与所述工艺腔室连接。
8.一种基于如权利要求7所述的半导体工艺设备进行的工艺方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯铮，刘科学，吴艳华，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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