【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体微电子器件领域，具体涉及一种基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器及其制备方法。
技术介绍
1、忆阻器是继电阻、电容、电感之后的第四种无源电路器件，在1971年华裔科学家蔡少棠教授研究电压、电流、电荷与磁通量之间的关系时，根据数学逻辑关系的完整性研究提出。忆阻器的电阻值可以随电压而发生变化，而且可以记住改变的状态，即某一时刻的电阻值与流过器件的电流相关。这个特性与生物体内神经突触的工作原理有很大的相似度，突触间的连接强度随着外来信号的刺激而发生变化，而且可以维持变化的连接强度。同时，由突触前膜、突触间隙和突触后膜构成的神经突触本身就可以看成是一个具有非线性传输特性的两端器件。神经突触是大脑学习和记忆的最基础单元，对其突触功能进行模拟是构建人工神经形态网络的重要一环。所以利用忆阻器这类具有非线性电学性质的器件来模拟神经突触功能是目前人工神经网络研究的热点。
2、在各种电子设备中大量使用有毒和不可降解的功能材料，对环境产生了不利影响。在电子设备中使用生物材料是迄今为止保护环境免受有害物质侵害而又不影响...
【技术保护点】
1.一种基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，所述氨基酸基有机-无机杂化物薄膜记忆存储层的厚度为1-50nm。
3.根据权利要求1所述的基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，所述底电极为TaN或TiN。
4.根据权利要求3所述的基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，TaN或TiN电极层的制备采用直流磁控溅射或者利用原子层沉积方法。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，所述氨基酸基有机-无机杂化物薄膜记忆存储层的厚度为1-50nm。
3.根据权利要求1所述的基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，所述底电极为tan或tin。
4.根据权利要求3所述的基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，tan或tin电极层的制备采用直流磁控溅射或者利用原子层沉积方法。
5.根据权利要求1所述的基于氨基酸的有机-无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器的制备方法，其特征在于，所述顶电极为导电金属材料或导电氧化物材料。
6.根据权利要求5所述的基于氨基酸的有机...
【专利技术属性】
技术研发人员：李爱东，朱琳，孙松，张楚怡，黎微明，吴迪，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：
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