【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高热流密度电子器件散热,特别是指一种碳纳米管增强金刚石微通道散热器及其制备方法。
技术介绍
1、随着电子器件集成技术的不断发展,单位面积上的电子芯片的热功耗越来越高,芯片发热导致器件失效已经成为制约电子器件发展的主要瓶颈。有研究表明,当器件温度达到70-80℃时,温度每上升1℃,其可靠性就会下降百分之五,导致设备温度上升速度越来越快,不利于设备的长期稳定运行。采用基于流体换热的微通道技术,能够最大限度提高传热效率,实现更高的热通量与温度稳定性,满足微电子器件的小型化与高导热需求。
2、目前常用的微通道材料多为半导体材料si和金属材料cu。铜(cu)微通道具有较高的热导率(389w/m·k),但其要求的加工方法存在剪切应力,不能满足较薄通道壁的与良好深宽比的加工要求;而硅(si)的热导率随温度变化上下浮动较大,对于高热流密度的有效耗散能力不足,排热效果不理想,且硅微通道的加工要求较高,焊接工艺也较为复杂。而金刚石是目前自然界中已知的热导率最高的材料,具有高的硬度与良好的物理化学性能,被认为是用作微通道散热器的理想
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【技术保护点】
1.一种碳纳米管增强金刚石微通道散热器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的散热器,其特征在于,凹槽微通道的形状选自矩形、V形、弧形中的至少一种。
3.权利要求1-2任一项所述散热器的制备方法,其特征在于,包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特在于,还具有步骤S7、采用等离子体改性、化学改性、紫外光照改性中的至少一种方法,对碳纳米管增强金刚石微通道散热器进行表面改性。
5.根据权利要求3所述的方法,其特在于,衬底选自Ti、W、Mo、Si、石墨中的单一材质,或者其复合结构。
6.根据权利要求3所述的
...【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管增强金刚石微通道散热器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的散热器,其特征在于,凹槽微通道的形状选自矩形、v形、弧形中的至少一种。
3.权利要求1-2任一项所述散热器的制备方法,其特征在于,包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特在于,还具有步骤s7、采用等离子体改性、化学改性、紫外光照改性中的至少一种方法,对碳纳米管增强金刚石微通道散热器进行表面改性。
5.根据权利要求3所述的方法,其特在于,衬底选自ti、w、mo、si、石墨中的单一材质,或者其复合结构。
6.根据权利要求3所述的方法,其特在于,增加碳原子基团浓度的具体步骤为:每隔50-100小时在前次碳源气体流量的基础上增加20-50sccm,实现二次形核,每次二次形核时间30min。
7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏俊俊,韦欣怡,冯旭瑞,张建军,刘金龙,陈良贤,李成明,
申请(专利权)人:北京科技大学,
类型:发明
国别省市:
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