磁性随机存取存储单元以及存储器制造技术

一种磁性随机存取存储单元以及存储器，存储单元包括：自旋轨道扭矩层，用于在对磁性随机存取存储单元进行写操作时流经写入电流；磁隧道结，位于自旋轨道扭矩层上；第一底部插塞，位于自旋轨道扭矩层底部且与自旋轨道扭矩层的一端相接触；第二底部插塞，位于自旋轨道扭矩层底部且与第一底部插塞之间具有间隔，第二底部插塞与自旋轨道扭矩层的另一端相接触；且第二底部插塞和第一底部插塞的排布方向与磁隧道结的磁矩方向之间具有锐角夹角。本发明专利技术实施例在提高MRAM的读写速度的同时，还无需外加磁场便实现磁隧道结中磁自由层的磁矩翻转，有利于实现MRAM的生产及应用，并简化MRAM的结构，提升MRAM的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种磁性随机存取存储单元以及磁性随机存取存储器。

技术介绍

1、磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，mram)是一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整。mram器件拥有静态随机存储器(sram)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(dram)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入，mram器件是一种“全动能”的固态存储器。因而，其应用前景非常可观，有望主导下一代存储器市场。

2、自旋轨道转矩(spin-orbit torque，sot)指基于自旋轨道耦合(spin-orbitcoupling，soc)，利用电荷流诱导的自旋流来产生自旋转移力矩，进而达到调控磁性存储单元的目的。基于sot的mram(sot-mram)克服了stt-mram的缺点，特别是sot-mram将读写路径分开，因此有着比stt-mram更快的读写速度和更低的功耗。sot-mram采用三端式磁性隧道结(magnetic tunnel junc本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁性随机存取存储单元，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其特征在于，所述自旋轨道扭矩层为沿第一方向延伸的条型结构；所述磁隧道结的磁矩方向平行于所述第一方向。

3.如权利要求2所述的磁性随机存取存储单元，其特征在于，所述磁隧道结为纺锤型结构；所述纺锤形结构的长轴方向为所述磁隧道结的磁矩方向。

4.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其特征在于，所述磁性随机存取存储单元还包括：基底，位于所述自旋轨道扭矩层的底部；底部介质层，位于所述基底与所述自旋轨道扭矩层之间；所述第一底部插塞和第二底部插塞位于所述底部介质层中。<...

【技术特征摘要】

1.一种磁性随机存取存储单元，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其特征在于，所述自旋轨道扭矩层为沿第一方向延伸的条型结构；所述磁隧道结的磁矩方向平行于所述第一方向。

3.如权利要求2所述的磁性随机存取存储单元，其特征在于，所述磁隧道结为纺锤型结构；所述纺锤形结构的长轴方向为所述磁隧道结的磁矩方向。

4.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其特征在于，所述磁性随机存取存储单元还包括：基底，位于所述自旋轨道扭矩层的底部；底部介质层，位于所述基底与所述自旋轨道扭矩层之间；所述第一底部插塞和第二底部插塞位于所述底部介质层中。

5.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其特征在于，所述磁性随机存取存储单元还包括：顶部插塞，位于所述磁隧道结的顶部上且与所述磁隧道结电连接。

6.如权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：