【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子，具体涉及一种同时适用于igbt和mosfet的驱动电路及其控制方法。
技术介绍
1、mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor)，金属氧化物半导体场效应管，是由金属、氧化物(sio2或sin)及半导体三种材料制成的器件，它是一种电压控制式功率半导体器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性好、噪声低、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。igbt(insulated gatebipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。
2、mosfet和igbt均在电子行业获得了广泛的应用。但现有技术中，只针对igbt或者mosfet设计了独立的驱动电路，即igbt的驱动方案不适用于mosfet，同样的，mosfet的驱动方案也不适用于igbt，目前还没...
【技术保护点】
1.一种同时适用于IGBT和MOSFET的驱动电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的同时适用于IGBT和MOSFET的驱动电路，其特征在于，还包括：滤波电路模块，用于过滤所述第一被测支路或第二被测支路的震荡波形。
3.根据权利要求1或2所述的同时适用于IGBT和MOSFET的驱动电路，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的同时适用于IGBT和MOSFET的驱动电路，其特征在于：所述信号收发控制模块还包括电容C2、C3、C4、C5、C6、C7以及C8，电容C2串联耦接于数字地端与所述驱动IC的第十七端之间，电容C3串联耦接...
【技术特征摘要】
1.一种同时适用于igbt和mosfet的驱动电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的同时适用于igbt和mosfet的驱动电路，其特征在于，还包括：滤波电路模块，用于过滤所述第一被测支路或第二被测支路的震荡波形。
3.根据权利要求1或2所述的同时适用于igbt和mosfet的驱动电路，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的同时适用于igbt和mosfet的驱动电路，其特征在于：所述信号收发控制模块还包括电容c2、c3、c4、c5、c6、c7以及c8，电容c2串联耦接于数字地端与所述驱动ic的第十七端之间，电容c3串联耦接于数字地端与所述驱动ic的第十八端之间，电容c4串联耦接于所述驱动ic的第六端与所述节点p6之间，电容c5和c7并联耦接于所述节点p4和p6之间，电容c6和c8并联耦接于所述节点p5和p6之间。
5.根据权利要求3所述的同时适用于igbt和mosfet的驱动电路，其特征在于：所述推挽电路模块包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的控制端耦接于所述节点p3，另一端串联耦接于电阻r1的一端，电阻r1的另一端耦接于所述节点p7，所述节点p7与所述第四晶体管的一端之间串联耦接一电阻r2，所述第四晶体管的另一端耦接于所述节点p5，所述第四晶体管的控制端耦接于所述节点p3。
6.根据权利要求3所述的同时适用于igbt和mosfet的驱动电路，其特征在于：所述电源模块的第一端和第二端之间串联耦接一电容c11，第五端与所述节点p5之间串联耦接一开关k5，第六端与所述节点p6之间串联耦接一开关k3，第七端与所述节点p4之间串联耦接一开关k4，所述节点p5与p6之间还串联耦接一开关k9。
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋开悦，廖光朝，胡绍国，黄晓意，
申请(专利权)人：重庆云潼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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