一种基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中3-氰基吡啶N氧化物合成方法技术

技术编号:42435200 阅读:19 留言:0更新日期:2024-08-16 16:45
本发明专利技术一种基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中3‑氰基吡啶N氧化物合成方法,构建辅助电场,将铜棒或铜板作为负极,贵金属纳米网布作为正极;构建氧化池,在氧化池中内壁两端分别固定位置设置所述铜棒或铜板和所述贵金属纳米网布,本发明专利技术增加了催化表面积提高了反应的效率,以及增加了产率、便于直接从氧化池中导出进行下一步水解酸化合成2‑氯烟酸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种3-氰基吡啶n氧化物合成方法,尤其涉及在基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中。


技术介绍

1、2-氯烟酸主要作用于高效除草剂吡氟草胺和烟嘧磺隆;在医药方面2-氯烟酸可作用于合成抗艾滋病药物奈韦拉平、抗抑郁药米氮平、抗炎镇痛药氟灭酸、及普拉洛芬;在兽药方面有消炎镇痛药物氟尼辛葡甲胺。

2、合成2-氯烟酸的工艺有很多种,但是大都是通过混合系中搅拌反应,或者通过重力作用经过各催化层,或在催化层附近实现催化,获得3-氰基吡啶n氧化物,作为2-氯烟酸的高产率合成的前驱体。

3、然而依靠混合系以及重力的催化效率仍然值得质疑。因为混合系中随机的分子间碰撞,重力作用下不能彻底定向到催化介质附近,直接影响着催化结果,这是现有技术并未意识到的问题。即反应物的定向催化。

4、因此如何考虑反应物在指定的催化介质附近绑定,电场作用是一种方法。在液相中提供电场,使得反应物迁移到指定的电极上进行催化,但是如果催化电极选择不好,仍然面临着产率不高的情况。


技术实现思路

>1、鉴于上述问题考本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中3-氰基吡啶N氧化物合成方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的合成方法,其特征在于,其中,贵金属纳米网布包括为基于贵金属纳米颗粒负载的经纬纺织催化布。

3.根据权利要求2所述的合成方法,其特征在于,可选地,所述贵金属为金、银、铂、钯、铑、钌、钼,中至少一者。

4.根据权利要求3所述的合成方法,其特征在于,所述3-氰基吡啶的溶液包括3-氰基吡啶的乙醇溶液或乙醇和蒸馏水的混合溶液为溶剂的3-氰基吡啶溶液。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的合成方法,其特征在于,所述第一预设值E1...

【技术特征摘要】

1.一种基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中3-氰基吡啶n氧化物合成方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的合成方法,其特征在于,其中,贵金属纳米网布包括为基于贵金属纳米颗粒负载的经纬纺织催化布。

3.根据权利要求2所述的合成方法,其特征在于,可选地,所述贵金属为金、银、铂、钯、铑、钌、钼,中至少一者。

4.根据权利要求3所述的合成方法,其特征在于,所述3-氰基吡啶的溶液包括3-氰基吡啶的乙醇溶液或乙醇和蒸馏水的混合溶液为溶剂的3-氰基吡啶溶液。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的合成方法,其特征在于,所述第一预设值e1<1.78/d,其中d为正负电极间距,单位v/m。

6.根据权利要求5所述的合成方法,其特征在于,第一预设值为小于(1.2-1.5)/d,第二预设值e2≥1.78/d,单位v/m。

7.根据权利要求6所述的合成方法,其特征在于,所述氧化反应的温度为25-50℃。

8.根据权利要求6或7所述的合成方法,其特征在于,所述氧化池包括可拆卸封闭盖,以及温度传感器,用于监测氧化池中的反应温度。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述预定时间为5min-30min。

10.根据权利要求1-4,6,7,或9...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭建军胡涌刚胡茂华吴天兆李明明
申请(专利权)人:湖北进创博生物科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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