一种集成栅极电荷泄放电路的GaN HEMT器件制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成栅极电荷泄放电路的GaN HEMT器件。本发明专利技术主要基于二极管的反向阻断，利用GaN HEMT的栅源短接形成的二极管结构形成二极管并联结构进行分压，以此触发泄放GaN HEMT的开启，通过将泄放GaN HEMT与主器件集成，为GaN HEMT主器件的栅极提供了ESD静电泄放路径。本发明专利技术的栅极电荷泄放电路与现有肖特基p‑GaN HEMT工艺相兼容，通过与p‑GaN HEMT主器件集成，为p‑GaN HEMT提供了ESD静电泄放路径，有效提高器件抗ESD电压等级，增强器件鲁棒性，提高器件可靠性。具体的，当在GaN HEMT器件栅极与源极上所施加电压达到ESD触发电压时，用于泄放电荷的GaN HEMT器件导通形成泄放通道，使GaN HEMT器件栅极与源极间电压不再上升，从而保护功率器件栅极与源极不被高压击穿。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体，具体涉及一种集成栅极电荷泄放电路的ganhemt器件。

技术介绍

1、gan hemt高电子迁移率晶体管器件技术趋于成熟并逐步向应用市场推广，无论gan hemt分立器件还是集成器件，其静电放电(esd)防护都不可或缺。但gan hemt器件内部不存在辅助静电泄放的pn结，同时gan hemt器件普遍采用偏栅结构，造成hemt器件栅源两端esd失效电压远远小于栅漏两端esd失效电压，因此与功率器件兼容的esd防护结构也成为市场应用的重要发力点。esd结构泄放通路的开启电压应略小于栅极击穿电压，这样既能起到保护栅极的作用也能保证栅极的最大额定电压。此外，esd结构需要有足够的面积才能保证器件esd的泄放能力。

技术实现思路

1、针对上述问题，本专利技术基于gan hemt栅极电荷泄放电路，提出一种集成gan hemt栅极电荷泄放电路的具有esd防护功能的gan hemt器件。

2、本专利技术采用的技术方案是：

3、一种集成栅极电荷泄放电路的gan hemt器件，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成栅极电荷泄放电路的GaN HEMT器件，其特征在于，包括级联二极管部分和泄放GaN HEMT部分，级联二极管部分和泄放GaN HEMT部分在纵向方向上连接并通过隔离层隔离，级联二极管部分和泄放GaN HEMT部分均包括自下而上依次层叠设置衬底(1)、AlGaN缓冲层(2)、GaN缓冲层(3)、GaN沟道层(4)、AlGaN势垒层(5)；

2.根据权利要求1所述的一种集成栅极电荷泄放电路的GaN HEMT器件，其特征在于，集成栅极电荷泄放电路的GaN HEMT器件与外部被保护的GaN HEMT器件的连接方式是，漏极(14)与被保护的GaN HEMT器件栅极连接，源极...

【技术特征摘要】

1.一种集成栅极电荷泄放电路的gan hemt器件，其特征在于，包括级联二极管部分和泄放gan hemt部分，级联二极管部分和泄放gan hemt部分在纵向方向上连接并通过隔离层隔离，级联二极管部分和泄放gan hemt部分均包括自下而上依次层叠设置衬底(1)、algan缓冲层(2)、gan缓冲层(3)、gan沟道层(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗小蓉，杨铖，张鹏飞，骆成涛，赵智家，邓高强，魏杰，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：