【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及太阳能电池模组的领域，更具体地涉及钙钛矿太阳能电池模组。
技术介绍
1、图1a中图示了薄膜太阳能电池的常规串联连接，其中，半导体材料堆叠体设置在衬底上并且通过将太阳能电池的底层与邻近的太阳能电池的顶层连接来串联连接，以产生具有预定dc电压和产生电流的容量的太阳能电池模组。
2、为了防止当太阳能电池不产生电流(例如由于遮蔽)时出现故障，旁路二极管可以在外部与每个太阳能电池并联连接，如图1b所示。
3、外部连接的旁路二极管的缺点在于，该外部连接的旁路二极管需要安装空间，从而减小了用于太阳能生产的可用有效面积。另一个缺点在于，太阳能模组的复杂性增大，从而增加了成本。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种太阳能电池模组，旨在单独地或以任何组合的方式减轻、缓解或消除本领域中的上述缺陷和缺点中的一个或多个，并且提供一种改进的太阳能电池板。
2、该目的是通过一种薄膜太阳能电池模组达到的，该薄膜太阳能电池模组包括设置或布置在衬底上并且串联连接的第一太...
【技术保护点】
1.一种薄膜太阳能电池模组(20；30；40；50)，包括：设置在衬底(1)上并且串联连接的第一太阳能电池(21a；31a；41a；51a)和第二太阳能电池(21b；31b；41b；51b)，其中，
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模组，其中，该第一顶部电极层和该第二顶部电极层是单个导电层(26)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜太阳能电池模组，进一步包括光子阻挡层(101)，该光子阻挡层(101)被布置在所述第一衬底(1)与所述第一旁路二极管(32a；42a；52a)之间，并且被配置为防止入射在所述第一衬底上的光辐射的至少一部分...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种薄膜太阳能电池模组(20；30；40；50)，包括：设置在衬底(1)上并且串联连接的第一太阳能电池(21a；31a；41a；51a)和第二太阳能电池(21b；31b；41b；51b)，其中，
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模组，其中，该第一顶部电极层和该第二顶部电极层是单个导电层(26)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜太阳能电池模组，进一步包括光子阻挡层(101)，该光子阻挡层(101)被布置在所述第一衬底(1)与所述第一旁路二极管(32a；42a；52a)之间，并且被配置为防止入射在所述第一衬底上的光辐射的至少一部分到达所述第一旁路二极管。
4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池模组，其中，所述光子阻挡层的平均透射率在400nm至900nm的波长范围内是至多50％，更优选地在所述波长范围内是至多1％。
5.根据权利要求3或4所述的薄膜太阳能电池模组，其中，所述光子阻挡层(101)布置在所述第一底部电极层(22a)与所述第一旁路二极管(32a；42a，52a)之间。
6.根据权利要求3或4所述的薄膜太阳能电池模组，其中，所述光子阻挡层(101)布置在所述第一衬底(1)与所述第一第一底部电极层(22a)之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜太阳能电池模组，其中，该第一堆叠体(27)包括设置在该第一底部电极层(22a)上的n型半导体层(15a)、设置在该n型半导体层(15a)上的第一吸收层(14a)、以及设置在该第一吸收层(14a)上的p型半导体层(13a)，该第一顶部电极层设置在该p型半导体层(13a)上。
8.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜太阳能电池模组，其中，该第二堆叠体(28)包括设置在该第二底部电极层(22b)上的p型半导体层(13b)、设置在该p型半导体层(13b)上的第二吸收层(14b)、以及设置在该第二吸收层(14b)上的n型半导体层(15b)，该第一顶部电极层设置在该n型半导体层(15b)上。
9.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜太阳能电池模组，其中，该第一旁路二极管(32a)进一步包括设置在该第一底部电极层(22a)上的p型半导体层(34)和设置在该p型半导体层(34)上的n型半导体层(33；43)，该n型半导体层(33；43)与该第一顶部电极层电接触。
10.根据前述权利要求中任一项所述的薄膜太阳能电池模组，其中，该第一旁路二极管(42a；52a)进一步包括设置在该第一底部电极层(22a)上的p型半导体层(34)、设置在该p型半导体层(34)上的本征半导体层(44)、以及设置在该本征半导体层(44)上的n型半导体层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：格里特·博斯卢，托马斯·奥斯特伯格，
申请(专利权)人：爱普施恩有限公司，
类型：发明
国别省市：
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