基于PANI@Au-TiO2的室温氨气传感器及其制备方法技术

一种基于PANI@Au‑TiO<subgt;2</subgt;的室温氨气传感器及其制备方法，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底的两面设有二氧化硅层，一侧的二氧化硅层上设有金叉指电极，二氧化硅层及金叉指电极表面设有气体敏感材料薄膜，气体敏感材料薄膜由PANI@Au‑TiO<subgt;2</subgt;复合材料构成；单晶硅衬底、二氧化硅层以及金叉指电极共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能；本发明专利技术传感器具有检测限低、响应高，并且能显著降低基线漂移情况，提高气体传感器的响应恢复能力和速度，传感器制备方法简单便捷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于气体传感，具体涉及一种基于pani@au-tio2的室温氨气传感器及其制备方法。

技术介绍

1、氨气检测研究在储能、环境监测和医疗诊断等领域具有重要意义，以电阻变化反映微小氨气浓度变化的电阻式氨气传感器因其结构简单、成本低廉等优点得到了广泛关注。基于金属氧化物半导体(mos)的气体传感器因其成本低、稳定性高、灵敏度高，是目前应用最广泛的氨气传感器；然而，mos气体传感器在室温下的灵敏度低，选择性差，严重限制了金属氧化物气体传感器的应用范围。导电聚合物气体传感器可进一步减小能耗，缩小传感器体积，具有良好的应用前景。

2、近年来，功能有机半导体(oscs)的开发，例如许多聚噻吩类氨气传感器被开发出来；然而受限于材料自身的固有缺陷，聚噻吩作为气体敏感材料时存在检测限高、响应低、基线漂移明显等问题。一些研究如shivam kumar gautam等人用金属纳米复合材料进行pani的功能化，制备出室温下检测氨气的传感器具有很强的稳定性(shiv am kumargautam,siddhartha panda,field effect cha本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于PANI@Au-TiO2的室温氨气传感器，包括单晶硅衬底(1)，单晶硅衬底(1)的两面设有二氧化硅层(2)，一侧的二氧化硅层(2)上设有金叉指电极(3)，二氧化硅层(2)及金叉指电极(3)表面设有气体敏感材料薄膜(4)，其特征在于：气体敏感材料薄膜(4)由PANI@Au-TiO2复合材料构成；单晶硅衬底(1)、二氧化硅层(2)以及金叉指电极(3)共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜(4)接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能。

2.根据权利要求1所述的室温氨气传感器，其特征在于：所述的PANI@Au-TiO2...

【技术特征摘要】

1.一种基于pani@au-tio2的室温氨气传感器，包括单晶硅衬底(1)，单晶硅衬底(1)的两面设有二氧化硅层(2)，一侧的二氧化硅层(2)上设有金叉指电极(3)，二氧化硅层(2)及金叉指电极(3)表面设有气体敏感材料薄膜(4)，其特征在于：气体敏感材料薄膜(4)由pani@au-tio2复合材料构成；单晶硅衬底(1)、二氧化硅层(2)以及金叉指电极(3)共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜(4)接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能。

2.根据权利要求1所述的室温氨气传感器，其特征在于：所述的pani@au-tio2复合材料构成的气体敏感材料薄膜(4)采用滴涂法制备。

3.根据权利要求1所述的室温氨气传感器，其特征在于：所述的pani@au-tio2复合气敏材料由质量比为1：(0.1-5)的金包覆的聚苯胺与二氧化钛纳米颗粒混合而成，二氧化钛纳米颗粒平均粒径为10-25nm。

4.权利要求1-3任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：江新兵，聂梓卓，费钰茜，王久洪，丁书江，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：