【技术实现步骤摘要】
本公开涉及芯片领域,具体涉及一种发射电路、数字隔离器及芯片。
技术介绍
1、近年来,基于电容隔离的数字隔离器以其面积小,隔离等级高,与cmos(complementary metal oxide semiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺兼容等优势,得到了广泛应用。数字隔离器的关键技术之一是传输延时,传输延时指的是信号跨越数字隔离器的隔离带前后的时间差。
2、数字隔离器主要包括整形电路、发射电路、隔离电容、接收电路和滤波电路;该数字隔离器的信号传输过程主要包括:输入信号经过整形电路、发射电路后被调制到高频,跨过该隔离电容形成的隔离带后经过接收电路、滤波电路最后输出。在上述信号传输过程中,传输时延主要来自发射电路和接收电路,由于信号在经过发射电路时需要被调制器调制到高频信号,在经过接收电路时再被解调器解调输出,调制器(或解调器)只有当进入调制器(或解调器)的信号为高电平时才工作,当进入调制器(或解调器)的信号为低电平时,调制器(或解调器)不工作,以降低功耗,当进入调制器(或解调器)的信号每次由低变高时,调制器(或解
...【技术保护点】
1.一种发射电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发射电路,其特征在于,所述唤醒电路包括:
3.根据权利要求2所述的发射电路,其特征在于,所述偏置电流器件为第二NMOS管,其中,所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极,源极连接所述接地端,漏极连接所述目标MOS管的源极。
4.根据权利要求2所述的发射电路,其特征在于,所述偏置电流器件为偏置电阻,其中,所述偏置电阻的一端连接所述目标MOS管的源极,另一端连接所述接地端。
5.根据权利要求2所述的发射电路,其特征在于,所述唤醒电路还包括二极管,其中:
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种发射电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发射电路,其特征在于,所述唤醒电路包括:
3.根据权利要求2所述的发射电路,其特征在于,所述偏置电流器件为第二nmos管,其中,所述第二nmos管的栅极连接所述第一nmos管的栅极,源极连接所述接地端,漏极连接所述目标mos管的源极。
4.根据权利要求2所述的发射电路,其特征在于,所述偏置电流器件为偏置电阻,其中,所述偏置电阻的一端连接所述目标mos管的源极,另一端连接所述接地端。
5.根据权利要求2所述的发射电路,其特征在于,所述唤醒电路还包括二极管,其中:
6.根据权利要求2所述的发...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘放,原义栋,赵天挺,卓越,冯建宇,王宇辰,李军,张萌,
申请(专利权)人:北京智芯微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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