一种种子层的制备方法技术

本发明专利技术属于集成电路技术领域，提供了一种种子层的制备方法。本发明专利技术采用分步沉积种子层的方式，先沉积屏障层，再沉积第一种子层，接着采用离子束刻蚀方式，使离子束以一定角度入射，将基板表面第一种子层被部分刻蚀的同时，对通孔侧壁的第一种子层的影响程度很小，几乎不被刻蚀，接着沉积第二种子层至目标种子层厚度，如此便可以使通孔侧壁的平均种子层总厚度满足制程需求的同时，极大地减薄基板表面的种子层厚度，降低了基板的翘曲，也降低了基板和种子层之间因为应力叠加造成的薄膜剥离风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，更具体地，涉及一种种子层的制备方法。

技术介绍

1、chiplet(芯粒)异质集成技术开发与整合的关键在于融合实现多尺度、多维度的芯片互连，从而提高电源效率并减小延迟，为高性能计算、人工智能和智慧终端等提供更小尺寸和更高性能的芯片。

2、芯片的垂直方向互连依赖硅通孔(tsv)或玻璃通孔(tgv)等技术，水平方向上则通过重布线系统(rdl)技术进行互连。

3、tgv通孔和tsv通孔金属填充，一般是先采用磁控溅射方式，在基板上方及通孔侧壁沉积金属cu种子层，然后再电镀cu，将通孔填充满金属cu；但是在磁控溅射沉积种子层时，深孔的台阶覆盖性较低，例如基板尺寸510mm*515mm*0.4mm，孔的深宽比8:1时，基板平面和孔侧壁的平均膜厚比例30:1左右，如要保证侧壁的种子层平均膜厚>100nm，则基板平面沉积的膜层一般需要沉积到3000nm，膜层沉积过厚，膜层应力叠加，则会导致基板翘曲较大(例如510mm*515mm*0.5mm的基板，tgv溅射设备沉积3000nm的cu层，基板翘曲量达到3.5mm)，存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种种子层的制备方法，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述通孔为硅通孔或玻璃通孔。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述通孔的深宽比为(2:1)-(20:1)。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述通孔的侧壁和基板的夹角为75-90°。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述屏障层为Ti层、Mo层、Ta层、TiW层中的一种。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述屏障层的厚度...

【技术特征摘要】

1.一种种子层的制备方法，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述通孔为硅通孔或玻璃通孔。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述通孔的深宽比为(2:1)-(20:1)。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述通孔的侧壁和基板的夹角为75-90°。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述屏障层为ti层、mo层、ta层、tiw层中的一种。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述屏障层的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓军，胡小波，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：